A. A. Lomov, D. M. Zakharov, M. A. Tarasov, A. M. Chekushkin, A. A. Tatarintsev, A. L. Vasiliev, “Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology, and Strain”, Russ Microelectron, 53:4 (2024), 339
В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин, “Способы приведения временной зависимости фототока резистора к форме интенсивности оптических импульсов, частота следования которых выше граничной частоты фотоприемника”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2024, № 1, 126–137
A. A. Lomov, D. M. Zakharov, M. A. Tarasov, A. M. Chekushkin, A. A. Tatarintsev, A. L. Vasiliev, “Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology and Strain”, Mikroèlektronika, 53:4 (2024), 335
Daulet Sergeyev, Ainur Duisenova, Kuanyshbek Shunkeyev, “Electronic and Optical Properties of One-Dimensional Van Der Waals Nanodevices Based on MoS2(n,n) and MoSe2(n,n) Nanotubes”, Crystals, 14:12 (2024), 1055
И. А. Щербаков, “О некоторых научных результатах, полученных в институтах Отделения физических наук РАН за последние 25 лет”, УФН, 194:12 (2024), 1242–1249; I. A. Shcherbakov, “On some scientific results obtained at institutes of the Physical Sciences Division of the Russian Academy of Sciences over the past 25 years”, Phys. Usp., 67:12 (2024), 1172–1179
А.В. Родина, “Лауреаты Нобелевской премии по химии 2023 года — Алексей Екимов, Луис Брюс и Мунги Бавенди, “Природа””, Priroda, 2023, № 12, 48
В. А. Конышев, А. В. Леонов, О. Е. Наний, Д. Д. Старых, В. Н. Трещиков, Р. Р. Убайдуллаев, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1102–1113; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S435–S450
Prudnikov I.R., “X-Ray Standing Waves Localized on the Boundary Between the Crystal Superlattice and the Film”, J. Struct. Chem., 62:4 (2021), 622–629
Sergey I. Pokutnyi, Springer Proceedings in Physics, 246, Nanomaterials and Nanocomposites, Nanostructure Surfaces, and Their Applications, 2021, 615
Pokutnyi S.I., “Polarizability of Germanium Quantum Dots With Spatially Separated Electrons and Holes”, Eur. Phys. J. Plus, 135:1 (2020), 74
Mikhailova M.P., Ivanov E.V., Danilov L.V., Kalinina K.V., Pivovarova A.A., Yakovlev Yu.P., Kop'ev P.S., “Large Blue Shift of Electroluminescence Spectrum in Nanoheterostructures With a Deep Alsb/Inassb/Alsb Quantum Well”, J. Appl. Phys., 126:23 (2019), 235703
Д. А. Усанов, В. М. Аникин, “Шестой съезд русских физиков в Саратове (15 августа 1928 г.)”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:2 (2019), 153–161
Koryukin I.V., “Model of An Injection Semiconductor Quantum-Dot Laser”, Radiophys. Quantum Electron., 60:11 (2018), 889–896
П. В. Ратников, А. П. Силин, “Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы”, УФН, 188:12 (2018), 1249–1287; P. V. Ratnikov, A. P. Silin, “Two-dimensional graphene electronics: current status and prospects”, Phys. Usp., 61:12 (2018), 1139–1174
Rabinovich O.I., Didenko S.I., “Nanoheterostructures Optimization and Characteristics Improvement For Devices Based on Them”, Crystallogr. Rep., 62:3 (2017), 474–479
Д. А. Усанов, В. М. Аникин, “Саратовские научные и педагогические школы по физике (к 80-летию образования Саратовской области)”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 16:3 (2016), 178–190
В. И. Пунегов, “Высокоразрешающая рентгеновская дифракция в кристаллических структурах с квантовыми точками”, УФН, 185:5 (2015), 449–478; V. I. Punegov, “High-resolution X-ray diffraction in crystalline structures with quantum dots”, Phys. Usp., 58:5 (2015), 419–445
Pokutnii S.I., “Exciton States Formed By Spatially Separated Electron and Hole in Semiconductor Quantum Dots”, Tech. Phys., 60:11 (2015), 1615–1618
Polyakov M.S., Badalyan A.M., Kaichev V.V., Igumenov I.K., “Thermal- and Plasma-Enhanced Copper Film Deposition Via a Combined Synthesis-Transport Cvd Technique”, Chem. Vapor Depos., 20:4-6 (2014), 170–176
Polyakov M.S., Badalyan A.M., Kaichev V.V., Igumenov I.K., “a Novel Plasma-Chemical Process of Metallic Layer Deposition From Small-Size Volatile Metal Complexes”, Materials Research and Applications, Pts 1-3, Advanced Materials Research, 875-877, eds. Li D., Zheng D., Shi J., Trans Tech Publications Ltd, 2014, 246–250
Обратная связь: