Способы приведения временной зависимости фототока резистора к форме интенсивности оптических импульсов, частота следования которых выше граничной частоты фотоприемника

Актуальность и цели. Зависимости интенсивности света от времени и фототока, протекающего в резисторе, в общем случае описываются различными функциями. Исследованы способы получения зависимости от времени интенсивности импульсов света произвольной формы, следующих с частотой $\omega$, по зависимости фототока от времени при наличии рекомбинации носителей заряда на поверхности полупроводника. Материалы и методы. Результаты. получены на основе исследования кинетики фотопроводимости резистора для линейного и квадратичного закона рекомбинации в объеме полупроводника. Учтена диффузия неравновесных носителей заряда к поверхностям фоторезистора с их последующей поверхностной рекомбинацией. Первый способ основан на использовании операции дифференцирования фототока. Второй способ позволяет восстановить интенсивность оптического импульса произвольной формы по амплитудам гармоник разложения функции, задающей зависимость тока от времени, в ряд Фурье. Результаты и выводы. Нелинейные, частотные и фазовые искажения в области больших частот малы. Предложенные способы справедливы при выполнении неравенства $\omega \tau \geq 1$ ($\tau$ - эффективное время жизни основных носителей заряда).