Typesetting math: 100%
Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 2018, том 188, номер 12, страницы 1249–1287
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038231
(Mi ufn6102)
 

Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 28 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы

П. В. Ратниковa, А. П. Силинb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация: Представлен обзор современного состояния в области применения двумерного углеродного материала графена в электронике с нанометровыми элементами — наноэлектронике. Кратко описана история получения графена. Дан обзор теоретических работ, посвящённых графеновым гетероструктурам. Основное внимание уделено практическому использованию графена в наноэлектронике. Рассмотрены перспективы графеновой и постграфеновой наноэлектроники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10538
Фонд развития теоретической физики и математики "БАЗИС"
Работа поддержана Российским научным фондом (грант 16-12-10538) и Фондом развития теоретической физики и математики “БАЗИС”.
Поступила: 8 августа 2017 г.
Доработана: 20 октября 2017 г.
Одобрена в печать: 10 ноября 2017 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2018, Volume 61, Issue 12, Pages 1139–1174
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.11.038231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.65.Cd, 68.65.Pq, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.-h, 85.30.Tv, 85.40.-e, 85.60.-q, 85.65.+h
Образец цитирования: П. В. Ратников, А. П. Силин, “Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы”, УФН, 188:12 (2018), 1249–1287; Phys. Usp., 61:12 (2018), 1139–1174
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RatSil18}
\by П.~В.~Ратников, А.~П.~Силин
\paper Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы
\jour УФН
\yr 2018
\vol 188
\issue 12
\pages 1249--1287
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6102}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038231}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2018PhyU...61.1139R}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36544234}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2018
\vol 61
\issue 12
\pages 1139--1174
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.11.038231}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000459955400001}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6102
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v188/i12/p1249
  • Эта публикация цитируется в следующих 28 статьяx:
    1. Shihang Sun, Lu Yang, Yanshen Zhao, Huaidong Liu, Xingbin Wei, “Effect of strain and external electric field on the optoelectronic properties of HfS2/ZrSe2 heterostructures”, Computational Materials Science, 251 (2025), 113695  crossref
    2. P. V. Ratnikov, A. P. Silin, “Trion gas, electron-hole liquid, and metal-insulator transition in doped heterostructures based on transition metal dichalcogenides”, Phys. Rev. B, 109:19 (2024)  crossref
    3. P. V. Ratnikov, “DIELEKTRIChESKAYa ELEKTRONNO-DYROChNAYa ZhIDKOST' V MONOSLOYNYKh GETEROSTRUKTURAKh NA OSNOVE DIKhAL'KOGENIDOV PEREKhODNYKh METALLOV”, Žurnal èksperimentalʹnoj i teoretičeskoj fiziki, 166:5 (2024), 710  crossref
    4. Daulet Sergeyev, Ainur Duisenova, Kuanyshbek Shunkeyev, “Electronic and Optical Properties of One-Dimensional Van Der Waals Nanodevices Based on MoS2(n,n) and MoSe2(n,n) Nanotubes”, Crystals, 14:12 (2024), 1055  crossref
    5. A. P. Kusyak, “Magnetosensitive nanocomposite Fe3O4/Al2O3/C synthesis and properties”, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 21:2 (2023)  crossref
    6. D. Sergeyev, A. Duisenova, A. Solovjov, N. Ismayilova, “Electron transport in a stressed moiré bigraphene structure”, Results in Physics, 54 (2023), 107140  crossref
    7. Yu Liu, Zhaorui Wen, Ziyu Huang, Yuxin Wang, Zhiren Chen, Shen Lai, Shi Chen, Yinning Zhou, “Liquid phase graphene exfoliation with a vibration-based acoustofluidic effector”, Micromachines, 14:9 (2023), 1718  crossref
    8. J. Van den Broeck, E. Vanderstraeten, P. Decleer, D. V. Ginste, “Conservative second-order accurate finite-difference scheme for the coupled Maxwell-Dirac equations”, Applied Mathematical Modelling, 120 (2023), 25  crossref  mathscinet
    9. Ю. Н. Ерошенко, “Новости физики в сети Internet (по материалам электронных препринтов)”, УФН, 192:1 (2022), 119–120  mathnet  crossref  adsnasa; Yu. N. Eroshenko, “Physics news on the Internet (based on electronic preprints)”, Phys. Usp., 65:1 (2022), 108–110  crossref  isi
    10. И. В. Антонова, “Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений”, УФН, 192:6 (2022), 609–641  mathnet  crossref  adsnasa; I. V. Antonova, “Straintronics of 2D inorganic materials for electronic and optical applications”, Phys. Usp., 65:6 (2022), 567–596  crossref  isi
    11. Ю. Н. Ерошенко, “Новости физики в сети Internet (по материалам электронных препринтов)”, УФН, 192:12 (2022), 1416–1416  mathnet  crossref  adsnasa; Yu. N. Eroshenko, “Physics news on the Internet (based on electronic preprints)”, Phys. Usp., 65:12 (2022), 1323–1324  crossref  isi
    12. P. L. Pekh, P. V. Ratnikov, A. P. Silin, “Phase diagram of electron-hole liquid in monolayer heterostructures based on transition metal dichalcogenides”, J. Exp. Theor. Phys., 133:4 (2021), 494–507  crossref  isi
    13. S. Yu. Davydov, “Model estimates of the quantum capacitance of amorphous and epitaxial graphene-like compounds”, Semiconductors, 55:2 (2021), 234–242  crossref  isi
    14. Z. B. Cavdar, C. Yanik, E. E. Yildirim, L. Trabzon, T. C. Karalar, “Separated terminal 2D Hall sensors with improved sensitivity”, Sens. Actuator A-Phys., 320 (2021)  crossref  isi
    15. I. I. Abramov, N. V. Kolomeitseva, V. A. Labunov, I. A. Romanova, I. Yu. Shcherbakova, “Influence of Gate Dielectrics of Field-Effect Graphene Transistors on Current-Voltage Characteristics”, Russ Microelectron, 50:2 (2021), 118  crossref
    16. D Sergeyev, A Duisenova, Zh Embergenov, “Modeling of electrotransport properties of Li-intercalated graphene film”, J. Phys.: Conf. Ser., 2140:1 (2021), 012025  crossref
    17. П. Л. Пех, П. В. Ратников, А. П. Силин, “Электронно-дырочная жидкость в монослойных гетероструктурах на основе дихалькогенидов переходных металлов”, Письма в ЖЭТФ, 111:2 (2020), 80–85  mathnet  crossref; P. L. Pekh, P. V. Ratnikov, A. P. Silin, “Electron-hole liquid in monolayer transition metal dichalcogenide heterostructures”, JETP Letters, 111:2 (2020), 90–95  crossref  isi  elib
    18. Ю. Н. Ерошенко, “Новости физики в сети Internet (по материалам электронных препринтов)”, УФН, 190:8 (2020), 836–836  mathnet  crossref  adsnasa; Yu. N. Eroshenko, “Physics news on the Internet (based on electronic preprints)”, Phys. Usp., 63:8 (2020), 835–836  crossref  elib
    19. Ю. Н. Ерошенко, “Новости физики в сети Internet (по материалам электронных препринтов)”, УФН, 190:12 (2020), 1334–1334  mathnet  crossref  adsnasa; Yu. N. Eroshenko, “Physics news on the Internet (based on electronic preprints)”, Phys. Usp., 63:12 (2020), 1266–1267  crossref
    20. P. V. Ratnikov, “Excitons in planar quantum wells based on transition metal dichalcogenides”, Phys. Rev. B, 102:8 (2020), 085303  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:417
    PDF полного текста:59
    Первая страница:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025