Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1346–1350
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46596.18 (Mi phts5693) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)

С. А. Рудинa, Ж. В. Смагинаa, В. А. Зиновьевa, П. Л. Новиковab, А. В. Ненашевab, Е. Е. Родякинаab, А. В. Двуреченскийab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (875 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46596.18
Аннотация: Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00931-П
Российский фонд фундаментальных исследований 16-38-00851-мол-а
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-12-00931-П) в части разработки методов, роста структур и моделирования. Технология структурирования поверхности методом электронно-лучевой литографии разработана при поддержке РФФИ (грант № 16-38-00851-мол-а).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1457–1461
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110222
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350; Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RudSmaZin18}
\by С.~А.~Рудин, Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, П.~Л.~Новиков, А.~В.~Ненашев, Е.~Е.~Родякина, А.~В.~Двуреченский
\paper Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1346--1350
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5693}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46596.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903611}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1457--1461
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5693
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1346
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate”, Semiconductors, 56:2 (2022), 101  crossref
    2. Zh.V. Smagina, V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, M.V. Stepikhova, A.V. Peretokin, E.E. Rodyakina, S.A. Dyakov, A.V. Novikov, A.V. Dvurechenskii, “Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate”, Journal of Luminescence, 249 (2022), 119033  crossref
    3. Alexey V. Novikov, Zhanna V. Smagina, Margarita V. Stepikhova, Vladimir A. Zinovyev, Sergey A. Rudin, Sergey A. Dyakov, Ekaterina E. Rodyakina, Alexey V. Nenashev, Sergey M. Sergeev, Artem V. Peretokin, Anatoly V. Dvurechenskii, “One-Stage Formation of Two-Dimensional Photonic Crystal and Spatially Ordered Arrays of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislandson Pit-Patterned Silicon-On-Insulator Substrate”, Nanomaterials, 11:4 (2021), 909  crossref
    4. Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715  mathnet  crossref; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859  mathnet  crossref
    5. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371  mathnet  crossref; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025