Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371; Semiconductors, 53:10 (2019), 1329

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1366–1371
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48291.37 (Mi phts5380)

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы

Ж. В. Смагина^a, В. А. Зиновьев^a, Е. Е. Родякина^ab, Б. И. Фомин^a, М. В. Степихова^c, А. Н. Яблонский^c, С. А. Гусев^c, А. В. Новиков^c, А. В. Двуреченский^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (1029 kB) Список цитирования (7)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48291.37

Аннотация: Рассмотрены различные подходы к встраиванию самоформирующихся квантовых точек Ge(Si) в двумерные фотонные кристаллы. Первый подход включает в себя синтез на структурированной поверхности подложки упорядоченного массива квантовых точек Ge(Si), на котором затем формируется фотонный кристалл. Во втором подходе сам фотонный кристалл служит основой для упорядоченного роста квантовых точек. Показано, что в рамках второго подхода, меняя диаметр отверстий фотонного кристалла, можно реализовать два режима роста квантовых точек, при которых они формируются внутри или снаружи отверстий фотонного кристалла. Для структур с упорядоченными квантовыми точками, встроенными в фотонный кристалл, обнаружен рост интенсивности сигнала фотолюминесценции при комнатной температуре в спектральном диапазоне 0.9–1.2 эВ, который связывается с взаимодействием излучения структуры с радиационными модами фотонного кристалла.

Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые точки, фотонный кристалл, микрофотолюминесценция.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований	16-29-14031 19-42-540002-р_а 18-29-20016-мк
Правительство Новосибирской области
Работа финансировалась из средств грантов РФФИ № 16-29-14031 и 19-42-540002-р_а и Правительства Новосибирской области в части создания структур с КТ, встроенными в фотонные кристаллы, и гранта РФФИ № 18-29-20016-мк в части люминесцентных измерений.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1329–1333
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100191

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371; Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{SmaZinRod19}

\by Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, Е.~Е.~Родякина, Б.~И.~Фомин, М.~В.~Степихова, А.~Н.~Яблонский, С.~А.~Гусев, А.~В.~Новиков, А.~В.~Двуреченский

\paper Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2019

\vol 53

\issue 10

\pages 1366--1371

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5380}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48291.37}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174860}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2019

\vol 53

\issue 10

\pages 1329--1333

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100191}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts5380

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1366

Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:

Sandip Swarnakar, Venkatrao Palacharla, Arjuna Muduli, Santosh Kumar, “Design and optimization of photonic crystal based all-optical logic gate with enhanced contrast ratio”, Opt Quant Electron, 55:7 (2023)
Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate”, Semiconductors, 56:2 (2022), 101
Zh.V. Smagina, V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, M.V. Stepikhova, A.V. Peretokin, E.E. Rodyakina, S.A. Dyakov, A.V. Novikov, A.V. Dvurechenskii, “Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate”, Journal of Luminescence, 249 (2022), 119033
S.A. Rudin, V.A. Zinovyev, Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, A.V. Nenashev, K.V. Pavsky, “Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates”, Journal of Crystal Growth, 593 (2022), 126763
Alexey V. Novikov, Zhanna V. Smagina, Margarita V. Stepikhova, Vladimir A. Zinovyev, Sergey A. Rudin, Sergey A. Dyakov, Ekaterina E. Rodyakina, Alexey V. Nenashev, Sergey M. Sergeev, Artem V. Peretokin, Anatoly V. Dvurechenskii, “One-Stage Formation of Two-Dimensional Photonic Crystal and Spatially Ordered Arrays of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislandson Pit-Patterned Silicon-On-Insulator Substrate”, Nanomaterials, 11:4 (2021), 909
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 501–506 ; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715 ; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	78
PDF полного текста:	29

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_04@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы