Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2018, том 188, номер 10, страницы 1129–1134
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038351 (Mi ufn6177) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты

С. А. Тарасенко

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (650 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038351
Аннотация: Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твёрдого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трёхмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. Представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объёмных электронных состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01265
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект 17-12-01265).
Поступила: 16 апреля 2018 г.
Одобрена в печать: 29 ноября 2017 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2018, Volume 61, Issue 10, Pages 1026–1030
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.11.038351
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 72.25.Dc, 73.20.-r, 73.40.-c, 73.50.Pz
Образец цитирования: С. А. Тарасенко, “Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты”, УФН, 188:10 (2018), 1129–1134; Phys. Usp., 61:10 (2018), 1026–1030
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tar18}
\by С.~А.~Тарасенко
\paper Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты
\jour УФН
\yr 2018
\vol 188
\issue 10
\pages 1129--1134
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6177}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038351}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2018PhyU...61.1026T}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36544347}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2018
\vol 61
\issue 10
\pages 1026--1030
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.11.038351}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000454141800007}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6177
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v188/i10/p1129
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
    Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:371
    PDF полного текста:85
    Список литературы:36
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025