Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк, “Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата”, Письма в ЖЭТФ, 106:2 (2017), 84–89; JETP Letters, 106:2 (2017), 97

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 2, страницы 84–89
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065 (Mi jetpl5320)

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата

Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк

Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия

PDF полного текста (1293 kB) Список цитирования (17)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065

Аннотация: Впервые наблюдалось воздействие магнитного поля на процессы релаксации дефектной структуры в сегнетоэлектрическом (немагнитном) кристалле триглицинсульфата (TGS). С помощью метода атомно-силовой микроскопии показано, что результатом воздействия постоянного слабого магнитного поля (2 Тл, 20 мин) является существенное изменение распределения по размерам дефектных нанокластеров, характерных для TGS. Известные из литературы и наблюдаемые в данной работе макроскопические эффекты последействия магнитного поля в TGS (медленная релаксация диэлектрической восприимчивости, симметризация петель диэлектрического

$P$ -

$E$ гистерезиса, и т.д.) могут быть объяснены перераспределением центров пиннинга доменных стенок в результате магнитостимулированной реконфигурации дефектной структуры.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций	1
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа частично поддержана Президиумом РАН (Программа # 1) и выполнена с использованием оборудования ЦКП Института кристаллографии им. А.В.Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН при поддержке Минобрнауки России.

Поступила в редакцию: 09.06.2017

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 2, Pages 97–102
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017140053

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк, “Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата”, Письма в ЖЭТФ, 106:2 (2017), 84–89; JETP Letters, 106:2 (2017), 97–102

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{GaiIvaPet17}

\by Р.~В.~Гайнутдинов, Е.~С.~Иванова, Е.~А.~Петржик, А.~К.~Лашкова, Т.~Р.~Волк

\paper Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата

\jour Письма в ЖЭТФ

\yr 2017

\vol 106

\issue 2

\pages 84--89

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5320}

\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29760146}

\transl

\jour JETP Letters

\yr 2017

\vol 106

\issue 2

\pages 97--102

\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017140053}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000411584500006}

\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85029871499}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5320

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i2/p84

Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:

M. V. Koldaeva, V. I. Alshits, AIP Advances, 14:1 (2024)
Muzaffar Iqbal Khan, Riya Upadhyay, Trilok Chandra Upadhyay, Ali Asghar Shah, Phys. Scr., 99:11 (2024), 115948
Roman Redko, Vitaliy Shvalagin, Grigorii Milenin, Svitlana Redko, Andrey Sarikov, Mater. Res. Express, 11:10 (2024), 105012
E. S. Ivanova, E. A. Petrzhik, A. P. Eremeev, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, A. G. Ivanova, T. R. Volk, Кристаллография, 68:5 (2023), 738
O. M. Golitsyna, S. N. Drozhdin, Известия Российской академии наук. Серия физическая, 87:9 (2023), 1309
O. M. Golitsyna, S. N. Drozhdin, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 87:9 (2023), 1343
Roman Redko, Vitaliy Shvalagin, Grigorii Milenin, Svitlana Redko, Yelizaveta Savchuk, 2023 IEEE 13th International Conference Nanomaterials: Applications & Properties (NAP), 2023, NSS04-1
E. S. Ivanova, E. A. Petrzhik, A. P. Eremeev, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, A. G. Ivanova, T. R. Volk, Crystallogr. Rep., 68:5 (2023), 716
Valentin Akkuratov, Anton Kulikov, Yuri Pisarevsky, Alexander Blagov, Mikhail Kovalchuk, J Appl Crystallogr, 56:1 (2023), 247
Sabarish V.C.B., Durairajan A., Graca M.P.F., Valente M.A., Gajendiran J., Rajasekhar B.N., Bhatt R., Bhaumik I., Karnal A.K., Sinha A.K., Singh M.N., Gokulraj S., Kumar G.R., J. Mol. Struct., 1248 (2022), 131450
M. O. Sharikova, A. A. Bykov, Y. A. Eliovich, V. I. Akkuratov, Yu. V. Pisarevsky, 2022 Wave Electronics and its Application in Information and Telecommunication Systems (WECONF), 2022, 1
Е. А. Петржик, В. И. Альшиц, Письма в ЖЭТФ, 113:10 (2021), 678–682 ; E. A. Petrzhik, V. I. Alshits, JETP Letters, 113:10 (2021), 646–650
R. A. Redko, G. V. Milenin, V. V. Shvalagin, S. M. Redko, O. S. Kondratenko, V. V. Shynkarenko, V. B. Neymash, V. Y. Povarchuk, Mater. Chem. Phys., 267 (2021), 124669
O. M. Golitsyna, S. N. Drozhdin, Ferroelectrics, 567:1, SI (2020), 244–263
Е. В. Даринская, М. В. Колдаева, В. И. Альшиц, А. Э. Волошин, И. М. Притула, Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019), 255–259 ; E. V. Darinskaya, M. V. Koldaeva, V. I. Alshits, A. E. Voloshin, I. M. Pritula, JETP Letters, 110:4 (2019), 279–283
И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 276–279 ; I. S. Volchkov, V. M. Kanevskii, M. D. Pavlyuk, JETP Letters, 107:4 (2018), 269–272
Е. Д. Якушкин, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 523–527 ; E. D. Yakushkin, JETP Letters, 106:8 (2017), 544–548

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	1838
PDF полного текста:	59
Список литературы:	57
Первая страница:	17

Обратная связь:
math-net2025_04@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы