Аннотация:
Обнаружено влияние постоянного и импульсного магнитных полей (∼ 1 Тл) на электропроводность кристаллов CdTe. Эффект наблюдается с задержкой после магнитной экспозиции кристаллов в виде двух пиков их удельной проводимости с последующим релаксационным возвратом. Первый пик при обоих типах магнитной обработки наблюдается через ∼ 1 ч после экспозиции, а его амплитуда превышает фоновое значение на ∼ 23–36 % (большее значение для постоянного поля). Второй пик в обоих случаях тоже возникает при соизмеримых, но гораздо больших задержках ∼ 50–60 ч, а его амплитуды еще сильней различаются для двух типов экспозиции, превышая фон на ∼ 60 % для постоянного поля и только на ∼ 11 % для импульсного. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемого эффекта.
Образец цитирования:
И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк, “Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 276–279; JETP Letters, 107:4 (2018), 269–272
\RBibitem{VolKanPav18}
\by И.~С.~Волчков, В.~М.~Каневский, М.~Д.~Павлюк
\paper Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 4
\pages 276--279
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5508}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18040124}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32619823}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 4
\pages 269--272
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018040136}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000430851700013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85053905733}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5508
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i4/p276
Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
A. G. Anisovich, S. N. Bukharov, V. K. Merinov, V. P. Sergienko, Nauka teh., 24:2 (2025), 98
M. V. Koldaeva, V. I. Alshits, AIP Advances, 14:1 (2024)
G.V. Milenin, R.A. Redko, SPQEO, 26:2 (2023), 147
Ivan Volchkov, Evgeniy Baskakov, Vladimir Strelov, Vladimir Kanevskii, Journal of Rare Earths, 40:11 (2022), 1778
Е. Д. Якушкин, В. А. Сандлер, Письма в ЖЭТФ, 113:5 (2021), 348–352; E. D. Yakushkin, V. A. Sandler, JETP Letters, 113:5 (2021), 352–355
Е. А. Петржик, В. И. Альшиц, Письма в ЖЭТФ, 113:10 (2021), 678–682; E. A. Petrzhik, V. I. Alshits, JETP Letters, 113:10 (2021), 646–650
H. Hanif, I. Khan, Sh. Shafie, W. A. Khan, Processes, 8:1 (2020), 7
Е. В. Даринская, М. В. Колдаева, В. И. Альшиц, А. Э. Волошин, И. М. Притула, Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019), 255–259; E. V. Darinskaya, M. V. Koldaeva, V. I. Alshits, A. E. Voloshin, I. M. Pritula, JETP Letters, 110:4 (2019), 279–283