Накачка лазеров на красителях полупроводниковыми инжекционными лазерами

Полупроводниковые лазеры активно используются для оптической накачки различных твердотельных лазеров, таких как Nd :YAG, Nd :YVO₄, Ti : Sapphire, Cr : Colquiriite, Cr :Alexandrite и др. Применение диодной накачки позволяет значительно уменьшить габаритные размеры лазерных систем и снизить их стоимость. Неоднократно предпринимались попытки возбуждения лазеров на красителях полупроводниковыми лазерами, но эффективность таких систем была крайне низка из-за нехватки мощности излучения накачки. Приемлемые результаты были получены только после появления мощных полупроводниковых лазеров видимого диапазона (445 нм и 520 нм, Nichia). При использовании различных схем накачки полупроводниковыми лазерами получены широкие диапазоны перестройки длины волны генерации (∼ 200 нм), достигнута генерация с высоким КПД (26%), осуществлена диодная накачка непрерывного лазера на красителе, а также продемонстрирована синхронизация мод (длительность импульсов около 200 пс). Ниже представлен обзор исследований, посвященных диодной накачке лазеров на красителях.