Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534; Semiconductors, 51:4 (2017), 503

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 529–534
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44347.8408 (Mi phts6189)

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A

Г. Б. Галиев^a, С. С. Пушкарев^a, А. М. Буряков^b, В. Р. Билык^b, Е. Д. Мишина^b, Е. А. Климов^a, И. С. Васильевский^c, П. П. Мальцев^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
^b МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

PDF полного текста (713 kB) Список цитирования (18)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44347.8408

Аннотация: Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные

δ

$\delta$ -слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными импульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100).

Поступила в редакцию: 20.09.2016
Принята в печать: 26.09.2016

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 503–508
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040054

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534; Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{GalPusBur17}

\by Г.~Б.~Галиев, С.~С.~Пушкарев, А.~М.~Буряков, В.~Р.~Билык, Е.~Д.~Мишина, Е.~А.~Климов, И.~С.~Васильевский, П.~П.~Мальцев

\paper Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2017

\vol 51

\issue 4

\pages 529--534

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6189}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44347.8408}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404896}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2017

\vol 51

\issue 4

\pages 503--508

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040054}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts6189

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p529

Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:

Kun Peng, Nicholas Paul Morgan, Ford M. Wagner, Thomas Siday, Chelsea Qiushi Xia, Didem Dede, Victor Boureau, Valerio Piazza, Anna Fontcuberta i Morral, Michael B. Johnston, “Direct and integrating sampling in terahertz receivers from wafer-scalable InAs nanowires”, Nat Commun, 15:1 (2024)
Evgeniy Klimov, Aleksey Klochkov, Petr Solyankin, Sergei Pushkarev, Galib Galiev, Nataliya Yuzeeva, Aleksandr Shkurinov, “Terahertz photoconductive antennas based on silicon-doped GaAs (111)A”, Int. J. Mod. Phys. B, 38:28 (2024)
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50 ; E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Quantum Electron., 51:suppl. 4 (2024), S316–S325
E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, M. O. Mozhaeva, “Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates”, Микроэлектроника, 52:3 (2023), 167
E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, M. O. Mozhaeva, “Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates”, Russ Microelectron, 52:3 (2023), 129
Aleksey Nikolaevich Klochkov, Galib Barievich Galiev, Evgenyi Aleksandrovich Klimov, Sergey Sergeevich Pushkarev, “Si‐Doping of Low‐Temperature‐Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates”, Physica Status Solidi (b), 260:2 (2023)
E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Effect of a Built-in Electric Field on the Photoluminescence Spectra of Elastically Strained InGaAs/GaAs Superlattices on GaAs (110) and (111)A Substrates”, Nanotechnol Russia, 17:S1 (2022), S41
G. B. Galiev, A. L. Vasiliev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, I. N. Trunkin, S. S. Pushkarev, “Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates”, Crystallogr. Rep., 65:3 (2020), 496
A.M. Buryakov, M.S. Ivanov, S.A. Nomoev, D.I. Khusyainov, E.D. Mishina, V.A. Khomchenko, I.S. Vasil'evskii, A.N. Vinichenko, K.I. Kozlovskii, A.A. Chistyakov, J.A. Paixão, “An advanced approach to control the electro-optical properties of LT-GaAs-based terahertz photoconductive antenna”, Materials Research Bulletin, 122 (2020), 110688
Kirill Kuznetsov, Aleksey Klochkov, Andrey Leontyev, Evgeniy Klimov, Sergey Pushkarev, Galib Galiev, Galiya Kitaeva, “Improved InGaAs and InGaAs/InAlAs Photoconductive Antennas Based on (111)-Oriented Substrates”, Electronics, 9:3 (2020), 495
Arseniy Buryakov, Dinar Khusyainov, Elena Mishina, Alexandr Yachmenev, Rustam Khabibullin, Dmitriy Ponomarev, “Effect of Epitaxial Stresses on the Time Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in InGaAs–Based Superlattices”, MRS Advances, 4:1 (2019), 15
K A Kuznetsov, G B Galiev, G Kh Kitaeva, V V Kornienko, E A Klimov, A N Klochkov, A A Leontyev, S S Pushkarev, P P Maltsev, “Photoconductive antennas based on epitaxial films In0.5Ga0.5As on GaAs (1 1 1)A and (1 0 0) substrates with a metamorphic buffer”, Laser Phys., 28:7 (2018), 076206
А. М. Буряков, Д. И. Хусяинов, Е. Д. Мишина, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. С. Пономарев, “Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 146–157 ; A. M. Buryakov, D. I. Khusyainov, E. D. Mishina, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. S. Ponomarev, “The role of excitation photons energy in the photoinduced carrier dynamics in InGaAs/InAlAs superlattice heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1115–1119
С. А. Номоев, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, К. И. Козловский, А. А. Чистяков, Е. Д. Мишина, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 11–17 ; S. A. Nomoev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, K. I. Kozlovskii, A. A. Chistyakov, E. D. Mishina, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46
K A Kuznetsov, G B Galiev, G Kh Kitaeva, V V Kornienko, E A Klimov, A N Klochkov, A A Leontyev, S S Pushkarev, P P Maltsev, “Photoconductive antennas based on epitaxial films In0.5Ga0.5As on GaAs (1 1 1)A and (1 0 0)A substrates with a metamorphic buffer”, Laser Phys. Lett., 15:7 (2018), 076201
Denis V. Lavrukhin, Alexander E. Yachmenev, Rinat R. Galiev, Igor A. Glinskiy, Rustam A. Khabibullin, Yurii G. Goncharov, Dmitriy S. Ponomarev, Gleb M. Katyba, Igor E. Spektor, Dinar I. Khusyainov, Arseniy M. Buryakov, Elena D. Mishina, Nikita V. Chernomyrdin, Kirill I. Zaytsev, Francis Berghmans, Anna G. Mignani, Optical Sensing and Detection V, 2018, 59
Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, “Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 48–54 ; D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, “Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1020–1022
V. R. Bilyk, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, E. D. Mishina, 2017 Progress In Electromagnetics Research Symposium - Spring (PIERS), 2017, 3383

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	56
PDF полного текста:	27

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы