Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880; Semiconductors, 52:8 (2018), 1004

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 873–880
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46212.8708 (Mi phts5756)

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

Г. Е. Яковлев^a, М. В. Дорохин^b, В. И. Зубков^a, А. Л. Дудин^c, А. В. Здоровейщев^b, Е. И. Малышева^b, Ю. А. Данилов^b, Б. Н. Звонков^b, А. В. Кудрин^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия

PDF полного текста (249 kB) Список цитирования (9)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46212.8708

Аннотация: Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы квантово-размерные светоизлучающие и транзисторные гетероструктуры на основе GaAs, содержащие области

$\delta$ -легирования, квантовые ямы InGaAs/GaAs и приповерхностные слои квантовых точек InAs/GaAs. Получены профили распределения концентрации свободных носителей заряда по глубине структур, определены накопленные в квантовой яме и массиве квантовых точек заряды, а также степени легирования эмиттерного и

$\delta$ -слоев. Проведено моделирование зонной структуры и распределения концентрации носителей заряда по глубине образцов с различной геометрией квантовых ям. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования в гетероструктурах различного типа. Для эффективного разделения откликов от близко расположенных слоев, в частности квантовой ямы и

$\delta$ -слоя, предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	8.1751.2017/ПЧ 14.582.21.0010 МК-8221.2016.2
Российский фонд фундаментальных исследований	15-02-07824_а 16-07-01102_а
Санкт-Петербургский государственный университет	М.5.1.2
Работа выполнена в рамках реализации проекта № 8.1751.2017/ПЧ Министерство образования и науки России, соглашения № 14.582.21.0010 Министерство образования и науки России (идентификатор проекта RFMEFI58215X0010), при поддержке РФФИ (гранты № 15-02-07824_а, 16-07-01102_а), гранта президента Российской Федерации (МК-8221.2016.2), а также при финансовой поддержке СПбГЭТУ “ЛЭТИ” (мероприятие М.5.1.2).

Поступила в редакцию: 21.08.2017
Принята в печать: 08.11.2017

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1004–1011
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080250

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880; Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{YakDorZub18}

\by Г.~Е.~Яковлев, М.~В.~Дорохин, В.~И.~Зубков, А.~Л.~Дудин, А.~В.~Здоровейщев, Е.~И.~Малышева, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, А.~В.~Кудрин

\paper Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2018

\vol 52

\issue 8

\pages 873--880

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5756}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46212.8708}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269429}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2018

\vol 52

\issue 8

\pages 1004--1011

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080250}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts5756

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p873

Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:

O. L. Golikov, N. E. Kodochigov, S. V. Obolensky, A. S. Puzanov, E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, “Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping”, Mikroèlektronika, 53:1 (2024), 3
O. L. Golikov, N. E. Kodochigov, S. V. Obolensky, A. S. Puzanov, E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, “Analysis of Nonlinear Distortions of DpHEMT Structures Based on a GaAs/In0.53Ga0.47As Compound with Double-Sided Delta-Doping”, Russ Microelectron, 53:1 (2024), 51
D. Yu. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit, D. V. Dmitriev, A. A. Makeeva, E. M. Rzaev, K. S. Zhuravlev, “The Electrochemical Profiling of n+/n GaAs Structures for Field-Effect Transistors”, Semiconductors, 58:3 (2024), 254
Igor A. Salimon, Aleksandr V. Averchenko, Svetlava A. Lipovskikh, Elena A. Skryleva, Artyom V. Novikov, Pavlos G. Lagoudakis, Sakellaris Mailis, “UV laser-induced nanostructured porous oxide in GaAs crystals”, Solid State Sciences, 128 (2022), 106887
G. E. Yakovlev, D. S. Frolov, V. I. Zubkov, “Diagnostics of semiconductor structures by electrochemical capacitance-voltage profiling technique”, Zavod. lab., Diagn. mater., 87:1 (2021), 35
Xianshao Zou, Chuanshuai Li, Xiaojun Su, Yuchen Liu, Daniel Finkelstein-Shapiro, Wei Zhang, Arkady Yartsev, “Carrier Recombination Processes in GaAs Wafers Passivated by Wet Nitridation”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 12:25 (2020), 28360
Г. Е. Яковлев, И. А. Няпшаев, И. С. Шахрай, Д. А. Андроников, В. И. Зубков, Е. И. Теруков, “Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:17 (2019), 39–42 ; G. E. Yakovlev, I. A. Nyapshaev, I. S. Shahray, D. A. Andronikov, V. I. Zubkov, E. I. Terukov, “Through concentration profiling of heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 890–893
Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 281–286 ; D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, V. I. Zubkov, “Technique for the electrochemical capacitance–voltage profiling of heavily doped structures with a sharp doping profile”, Semiconductors, 53:2 (2019), 268–272
Yana V. Ivanova, George E. Yakovlev, Vasily I. Zubkov, “EMISSION PROCESSES OF QUANTUM WELL INTERACTION WITH DELTA-LAYER IN pHEMT-HETEROSTRUCTURES”, Izv. vysš. učebn. zaved. Ross., Radioèlektron., 2018, no. 5, 44

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	72
PDF полного текста:	32

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы