Аннотация:
Описаны математические методы и алгоритмы, необходимые для построения автоматизированной системы прогнозирования свойств материалов с заранее заданной кристаллохимической формулой. Библ. 19. Табл. 1.
Образец цитирования:
К. К. Абгарян, В. Р. Хачатуров, “Компьютерное моделирование устойчивых структур кристаллических материалов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 49:8 (2009), 1517–1530; Comput. Math. Math. Phys., 49:8 (2009), 1449–1462
К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, “Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 56:1 (2016), 155–166; K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, “Numerical simulation of the distribution of charge carrier in nanosized semiconductor heterostructures with account for polarization effects”, Comput. Math. Math. Phys., 56:1 (2016), 161–172
Karina K. Abgaryan, Polina A. Sechenykh, Irina A. Supryadkina, “Object–relational architecture of information support of the multi-circuit calculation multilayer semiconductor nanostructures”, Modern Electronic Materials, 1:2 (2015), 38
Abgaryan K., Mutigullin I., Bazhanov D., “Multiscale Computational Model of Nitride Semiconductor Nanostructures”, Material Sciences and Technology, Pts 1 & 2, Advanced Materials Research, 560-561, ed. Li Y., Trans Tech Publications Ltd, 2012, 1133–1137