Люминесценция пленок нитрида кремния, имплантированных азотом

Исследована фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс LPCVD-пленок нитрида кремния, имплантированных ионами азота и отожженных при температурах 800 и 1200 °C. Показано, что быстрый термический отжиг в течение 3 мин при 800 °C исходной нитридной пленки приводит к уменьшению сигнала люминесценции, тогда как отжиг при 1200 °C приводит к увеличению интенсивности свечения в сине-зеленой области. Имплантация азота приводит к полному тушению сигнала люминесценции, что вероятнее всего связано с радиационными повреждениями. Однако предварительная имплантация азота дозой 1*10 $^{16}$ $cм^{-2}$ усиливает свечение в сине-зеленой области после отжига при 1200°C. Это подтверждает вклад собственных дефектов аморфного нитрида кремния (N-центров)в люминесценцию в высокоэнергетической области спектр