А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846; Phys. Usp., 46:8 (2003), 789

Успехи физических наук

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Скоро в журнале
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Успехи физических наук, 2003, том 173, номер 8, страницы 813–846
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813 (Mi ufn2163)

Эта публикация цитируется в 34 научных статьях (всего в 34 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

А. Р. Челядинский^a, Ф. Ф. Комаров^b

^a Белорусский государственный университет, физический факультет
^b НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко, Белорусский государственный университет

PDF полного текста (8285 kB) Список цитирования (34)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813

Аннотация: Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Поступила: 27 ноября 2002 г.
Доработана: 29 апреля 2003 г.

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2003, Volume 46, Issue 8, Pages 789–820
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx

Образец цитирования: А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846; Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{CheKom03}

\by А.~Р.~Челядинский, Ф.~Ф.~Комаров

\paper Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

\jour УФН

\yr 2003

\vol 173

\issue 8

\pages 813--846

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn2163}

\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813}

\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2003PhyU...46..789C}

\transl

\jour Phys. Usp.

\yr 2003

\vol 46

\issue 8

\pages 789--820

\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2003v046n08ABEH001371}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000187205200002}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ufn2163

https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v173/i8/p813

Эта публикация цитируется в следующих 34 статьяx:

A. I. Ivanova, D. O. Vakhrushev, O. S. Korneva, A. V. Gurulev, V. A. Varlachev, D. D. Efimov, A. A. Chernyshev, “Investigation of High-Intensity Implantation of Titanium Ions into Silicon under Conditions of Beam Energy Impact on the Surface”, J. Surf. Investig., 18:5 (2024), 1216
V. ODZAEV, U. PRASALOVICH, A. PYATLITSKI, N. KOVALCHUK, Ya. SOLOVIEV, D. ZHIGULIN, D. SHESTOVSKI, “LOCALIZATION OF NITROGEN ATOMS IN Si–SiO2 STRUCTURES”, HERALD OF POLOTSK STATE UNIVERSITY. Series С FUNDAMENTAL SCIENCES, 39:11 (2022), 65
N. S. Kovalchuk, Yu. A. Marudo, A. A. Omelchenko, Vladimir A. Pilipenko, Vitaly A. Solodukha, S. A. Demidovich, V. V. Kolos, E. S. Kozlova, V. A. Filipenya, D. V. Shestovski, “OPTICAL AND ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF GATE DIELECTRICS OBTAINED BY MEANS OF RAPID THERMAL PROCESSING”, High Temp Mat Proc, 26:3 (2022), 59
V. B. Odzaev, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, U. S. Prosolovich, V. A. Filipenia, D. V. Shestovski, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski, “The influence of uncontrolled technological impurities on the temperature dependence of the gain coefficient of a bipolar n-p-n-transistor”, Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-matematyčnyh navuk, 57:2 (2021), 232
Nikolskaya A., Korolev D., Tereshchenko A., Pavlenkov V., Nagornykh S., Belov A., Vasiliev V., Mikhaylov A., Tetelbaum D., “Temperature Dependence of Dislocation-Related Photoluminescence (D1) of Self-Implanted Silicon Subjected to Additional Boron Implantation”, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B-Beam Interact. Mater. Atoms, 472 (2020), 32–35
N Bogatov, L Grigoryan, A Klenevsky, M Kovalenko, I Nesterenko, “Formation of primary radiation defects in a non-equilibrium silicon structure by electron irradiation”, J. Phys.: Conf. Ser., 1679:3 (2020), 032077
Borisov A.M., Kazakov V.A., Mashkova E.S., Ovchinnikov M.A., Pitirimova E.A., “On the Dynamic Annealing of Ion-Induced Radiation Damage in Diamond Under Irradiation At Elevated Temperatures”, J. Surf. Ingestig., 13:2 (2019), 306–313
Makarenko L.F., Lastovskii S.B., Yakushevich H.S., Moll M., Pintilie I., “Effect of Electron Injection on Defect Reactions in Irradiated Silicon Containing Boron, Carbon, and Oxygen”, J. Appl. Phys., 123:16 (2018), 161576
Agafonov Y.A., Bogatov N.M., Grigorian L.R., Zinenko V.I., Kovalenko A.I., Kovalenko M.S., Kolokolov F.A., “Effect of Radiation-Induced Defects Produced By Low-Energy Protons in a Heavily Doped Layer on the Characteristics of N(+)-P-P(+) Si Structures”, J. Surf. Ingestig., 12:3 (2018), 499–503
Herega A., “Percolation Model of the Long-Range Effect”: Herega, A, Selected Models of the Mesostructure of Composites: Percolation, Clusters, and Force Fields, Springerbriefs in Physics, Springer International Publishing Ag, 2018, 17–25
Nina Khuchua, Marina Tigishvili, Nugzar Dolidze, Zurab Jibuti, Revaz Melkadze, Roland Diehl, Ion Beam Applications, 2018
V. B. Odzhaev, A. K. Panfilenko, A. N. Pyatlitski, V. S. Prosolovich, S. V. Shvedau, V. A. Filipenya, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovsky, “INVESTIGATION OF INFLUENCE OF TECHNOLOGICAL IMPURITIES ON THE I–V CHARACTERISTICS OF THE BIPOLAR n–p–n-TRANSISTOR”, Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-tehničnyh navuk, 63:2 (2018), 244
Tigishvili M., Khuchua N., Gapishvili N., Sakharova T., Dolidze N., Jibuti Z., Peradze G., Melkadze R., “Impact of Damages in Monocrystalline N-Si on Material Photosensitivity”, Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol 14, No 7, Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, 14, no. 7, ed. Mtchedlidze T., Wiley-V C H Verlag Gmbh, 2017, UNSP 1700094
Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Vorobev V.V., Osin Yu.N., Stepanov A.L., “Spectral Ellipsometry and Electron Backscatter Diffraction Analyses of Silicon Surfaces Implanted with Silver Ions”, J. Appl. Spectrosc., 83:1 (2016), 47–50
Nikolai A. Poklonski, Nikolay I. Gorbachuk, Sergey V. Shpakovski, Viktor A. Filipenia, Arkady S. Turtsevich, Sergey V. Shvedov, Nha Vo Quang, Nguyen Thi Thanh Binh, Vladimir A. Skuratov, Andreas D. Wieck, “DLTS spectra of silicon diodes with p+-n-junction irradiated with high energy krypton ions”, Modern Electronic Materials, 2:2 (2016), 48
Litovchenko V.G., Melnik V.P., Romanjuk B.M., “Nano-Size Phase Formation At Acoustically Stimulated Ion Beam Synthesis”, Ukr. J. Phys., 60:1 (2015), 64–73
Nina Khuchua, Marina Tigishvili, Revaz Melkadze, Nugzar Dolidze, Nodar Gapishvili, Zurab Jibuti, Galina Davbeshko, V. Romanyuk, “Defect Formation in Ion-Implanted Si - Approach to Controlled Semiconductor Optical Properties”, SSP, 242 (2015), 374
V. I. Rudakov, V. V. Ovcharov, V. F. Lukichev, Yu. I. Denisenko, “Investigation into the diffusion of boron, phosphorus, and arsenic in silicon during annealing in a nonisothermal reactor”, Russ Microelectron, 43:4 (2014), 284
Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Nha V.Q., Tarasik M.I., Shpakovski S.V., Filipenia V.A., Skuratov V.A., Wieck A., Koltunowicz T.N., “Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170 Mev Xenon Ions”, Acta Phys. Pol. A, 123:5 (2013), 926–928
Jurgen Michel, Steven Koester, Jifeng Liu, Xiaoxin Wang, Michael Geis, Steven Spector, Matthew Grein, Jung Yoon, Theodore Lyszczarz, Ning-Ning Feng, Series in Optics and Optoelectronics, 20130577, Handbook of Silicon Photonics, 2013, 479

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	368
PDF полного текста:	133
Список литературы:	73
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы