Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 1932, том 12, номер 2, страницы 351–356
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0012.193202g.0351 (Mi ufn14762) 		 
РЕФЕРАТЫ

Механизм электронной проводимости в диэлектриках и полупроводниках

Ф. Волькенштейн

г. Москва
PDF полного текста (368 kB)
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0012.193202g.0351
Аннотация: Реферат статьи В. Gudded. Über Leitungs-und Photoelekronen in Isolatoren und Halbleitern.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. Волькенштейн, “Механизм электронной проводимости в диэлектриках и полупроводниках”, УФН, 12:2 (1932), 351–356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Vol32}
\by Ф.~Волькенштейн
\paper Механизм электронной проводимости в диэлектриках и полупроводниках
\jour УФН
\yr 1932
\vol 12
\issue 2
\pages 351--356
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn14762}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0012.193202g.0351}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn14762
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v12/i2/p351
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025