Образец цитирования:
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428; Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398
К.Б. Тыныштыкбаев, “ЭНЕРГЕТИКА НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2023, № 2, 76
Tynyshtykbayev K. Spitas Ch. Kostas K. Insepov Z., “Porous Silicon Skeleton as Catalysts For Hydrocarbon Decomposition At Low Temperature Synthesis of Graphene Nanocomposites”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 10:1 (2021), 013009
К. В. Рейх, “Электропроводность массива квантовых точек”, УФН, 190:10 (2020), 1062–1084; K. V. Reich, “Conductivity of quantum dot arrays”, Phys. Usp., 63:10 (2020), 994–1014
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 196–202
E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, R. Kh. Rakhimov, “The difference between the contact structure with nanosize inclusions from the semiconductor photodiodes”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 203–207
K. B. Tynyshtykbaev, Yu. A. Ryabikin, S. Zh. Tokmoldin, B. A. Rakymetov, T. Aytmukan, Kh. A. Abdullin, “Boundary processes in the electrolyte–silicon interface area during the self-organization of the mosaic structure of 3D islets of porous silicon nanocrystallites in the long-term anode etching of p-Si (100) in electrolyte with an internal current source”, Russ Microelectron, 44:8 (2015), 559
Kurbangali B. Tynyshtykbaev, Talant Aitmukan, Ainur T. Issova, Bagdat A. Rakhymetov, Mukhtar A. Yeleuov, Serekbol Zh. Tokmoldin, “Self-Organizing Processes in Semiconductor Materials Science on the Example of Nanostructuring of por-Si”, MSA, 04:08 (2013), 1
Tynyshtykbaev K.B., Ryabikin Yu.A., Mit' K. A., Rakymetov B.A., Aitmukan T., “Dynamics of Formation of the Mosaic Structure of Porous Silicon During Prolonged Anodic Etching in Electrolytes with an Internal Current Source”, Phys. Solid State, 53:8 (2011), 1575–1580
Sadovnikov S.I., Rempel A.A., “Correlation of Sulfur Atoms in Nonmetal Planes of Lead Sulfide Films with the D0(3) Structure”, Phys. Solid State, 52:12 (2010), 2458–2466
А. И. Гусев, “Тройные корреляции в твердом растворе AyB1−y с плоской гексагональной решеткой”, Письма в ЖЭТФ, 87:5 (2008), 296–300; JETP Letters, 87:5 (2008), 248–252
A. I. Gusev, “Relationship between triple and pair correlations in an A
y
B
1 − y
solid solution with a planar hexagonal lattice”, Phys Solid State, 50:12 (2008), 2256
Vengrenovich R., Moskalyuk A., Yarema S., “Island Size Distribution Under Conditions of Dislocation-Surface Diffusion in Semiconductor Heterostructures”, Semiconductors, 40:3 (2006), 270–275
Nishchenko M. Vasiliev M. Sidorenko S. Voloshko S. Vilkova N., “Formation of Surface Periodic Microstructures in Multilayer Films Cr/Cu/Ni Under Laser Radiation”, Metallofiz. Nov. Tekhnol.-Met. Phys. Adv. Techn., 24:2 (2002), 203–220
V. I. Belyavskii, S. V. Shevtsov, “Inhomogeneous broadening of the ground electron level in a quantum dot array”, Semicond, 36:7 (2002), 821
Lozovski V., Nazarok Y., Bozhevolnyi S., “Near-Field Imaging of Pyramid-Like Nanoparticles at a Surface”, Physica E, 11:4 (2001), 323–331
Б. А. Гурович, Д. И. Долгий, Е. А. Кулешова, Е. П. Велихов, Е. Д. Ольшанский, А. Г. Домантовский, Б. А. Аронзон, Е. З. Мейлихов, УФН, 171:1 (2001), 105–117; Phys. Usp., 44:1 (2001), 95–105
Ledentsov N. Ustinov V. Shchukin V. Kop'ev P. Alferov Z. Bimberg D., “Quantum Dot Heterostructures: Fabrication, Properties, Lasers (Review)”, Semiconductors, 32:4 (1998), 343–365