Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1995, том 165, номер 10, страницы 1165–1192
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199510c.1165
(Mi ufn1124)
 

Эта публикация цитируется в 58 научных статьях (всего в 58 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах

А. И. Ахиезер, Н. Ф. Шульга, В. И. Трутень, А. А. Гриненко, В. В. Сыщенко

Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт"
Аннотация: Исследуются проблемы динамики заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах. Рассматриваются различные методы описания рассеяния частиц в кристаллах: борновское приближение, классическая электродинамика, эйкональное приближение. Исследуемые проблемы относятся к теории нелинейных систем, в которых возможны как регулярный, так и хаотический режимы движения. Рассматриваются различные режимы движения при каналировании и при надбарьерном движении частиц в кристалле вдоль одной из кристаллографических осей. Особое внимание уделяется изучению движения частиц в изогнутом кристалле, который может быть использован для поворотов пучков частиц высоких энергий.
Поступила: 30 октября 1995 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1995, Volume 38, Issue 10, Pages 1119–1145
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1995v038n10ABEH000114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.80.Az, 61.80.Mk, 05.45.+b


Образец цитирования: А. И. Ахиезер, Н. Ф. Шульга, В. И. Трутень, А. А. Гриненко, В. В. Сыщенко, “Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах”, УФН, 165:10 (1995), 1165–1192; Phys. Usp., 38:10 (1995), 1119–1145
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn1124
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v165/i10/p1165
  • Эта публикация цитируется в следующих 58 статьяx:
    1. A.M. Krutov, V.A. Maisheev, “Reduction of multiple scattering of positively charged ultra relativistic particles channeling in planar fields of single crystals”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 1061 (2024), 169086  crossref
    2. V.V. Syshchenko, A.I. Tarnovsky, V.I. Dronik, A.Yu. Isupov, “Dynamical chaos and level splitting under the channeling of the high energy positrons in [100] direction of the silicon crystal”, J. Inst., 19:05 (2024), C05006  crossref
    3. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, A. S. Parakhin, A. Yu. Isupov, “Simulating Quantum States of Positively Charged Particles Channeling along the [111] Direction in a Silicon Crystal”, J. Surf. Investig., 18:2 (2024), 274  crossref
    4. V.V. Syshchenko, A.I. Tarnovsky, A.Yu. Isupov, “Mixed (regular and chaotic) dynamics under the channeling of the high energy positrons in [100] direction of the silicon crystal and Podolskiy-Narimanov distribution”, J. Inst., 19:05 (2024), C05005  crossref
    5. W. Scandale, F. Cerutti, L. S. Esposito, M. Garattini, S. Gilardoni, R. Losito, A. Masi, D. Mirarchi, S. Redaelli, G. Smirnov, L. Bandiera, V. Guidi, A. Mazzolari, F. M. Addesa, F. Iacoangeli, F. Galluccio, A. G. Afonin, Yu. A. Chesnokov, A. A. Durum, V. A. Maisheev, Yu. E. Sandomirskiy, A. A. Yanovich, A. M. Taratin, Yu. A. Gavrikov, P. Yu. Ivanova, Yu. M. Ivanov, G. Hall, M. Pesaresi, R. Rossi, “Multiple scattering of positively charged particles moving near the (111) plane in a silicon single crystal”, Eur. Phys. J. Plus, 139:11 (2024)  crossref
    6. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, V. I. Dronik, “On Anomalous Diffusion of Fast Electrons through the Silicon Crystal”, J. Surf. Investig., 18:5 (2024), 1094  crossref
    7. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, V. I. Dronik, “On anomalous diffusion of fast electrons through the silicon crystal”, Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ, 2024, no. 9, 95  crossref
    8. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, V. I. Dronik, A. Yu. Isupov, “On the Effect of Quantum Tunneling on the Energy Spectrum of the Transverse Motion of Channeled Positrons in a Silicon Crystal”, J. Surf. Investig., 17:3 (2023), 707  crossref
    9. V.I. Alekseev, A.N. Eliseev, О.О. Ivashchuk, I.А. Kishin, А.S. Kubankin, А.N. Oleinik, V.S. Sotnikova, A.S. Chepurnov, Y.V. Grigoriev, А.V. Shchagin, “Pyroelectric deflector of relativistic electron beam”, Chinese Journal of Physics, 77 (2022), 2298  crossref
    10. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, “Statistical Properties of the Transverse-Motion Energy Levels for Channeling Electrons in a Silicon Crystal under Dynamical Chaos Conditions”, J. Surf. Investig., 15:4 (2021), 728  crossref
    11. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, V. I. Dronik, A. Yu. Isupov, “Splitting of the Transverse-Motion Energy Levels of Positrons during Channeling in the [100] Direction of a Silicon Crystal”, J. Surf. Investig., 15:S1 (2021), S73  crossref
    12. V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky, A. Yu. Isupov, I. I. Solovyev, “Structure of Regions of Regular Motion in the Phase Space of Channeled Electrons”, J. Synch. Investig., 14:2 (2020), 306  crossref
    13. G. L. Bochek, O. S. Deiev, V. I. Kulibaba, N. I. Maslov, V. D. Ovchinnik, S. M. Potin, B. I. Schramenko, “GAMMA-RADIATION SPECTRA OF 1200 MeV ELECTRONS IN THICK BERYLLIUM, SILICON AND TUNGSTEN SINGLE CRYSTALS”, Problems of Atomic Science and Technology, 2019, 86  crossref
    14. N.F. Shul'ga, V.I. Truten', “On fast charged particles scattering in a thin crystalline undulator”, Physics Letters B, 790 (2019), 574  crossref
    15. N.F. Shul'ga, V.V. Syshchenko, A.I. Tarnovsky, V.I. Dronik, A.Yu. Isupov, “Regular and chaotic motion domains in the channeling electron's phase space and mean level density for its transverse motion energy”, J. Inst., 14:12 (2019), C12022  crossref
    16. I. V. Kyryllin, N. F. Shul'ga, “Energy dependence of the efficiency of high-energy negatively charged particle beam deflection by planar channeling in a bent crystal”, Eur. Phys. J. C, 79:12 (2019)  crossref
    17. A. S. Fomin, A. Yu. Korchin, A. Stocchi, O. A. Bezshyyko, L. Burmistrov, S. P. Fomin, I. V. Kirillin, L. Massacrier, A. Natochii, P. Robbe, W. Scandale, N. F. Shul'ga, “Feasibility of measuring the magnetic dipole moments of the charm baryons at the LHC using bent crystals”, J. High Energ. Phys., 2017:8 (2017)  crossref
    18. Makarenko A.V., “TQ-bifurcations in discrete dynamical systems: Analysis of qualitative rearrangements of the oscillation mode”, J. Exp. Theor. Phys., 123:4 (2016), 666–676  crossref  isi  elib  scopus
    19. Shul'ga N.F., Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Isupov A.Yu., “Wave functions of channeling electrons in regular and chaotic cases”, Xi International Symposium on Radiation From Relativistic Electrons in Periodic Structures (Rreps2015), Journal of Physics Conference Series, 732, eds. Karataev P., Potylitsyn A., Strikhanov M., Tyukhtin A., IOP Publishing Ltd, 2016, UNSP 012028  crossref  isi
    20. Shul'ga N.F., Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Isupov A.Yu., “Wave functions of channeling electrons in regular and chaotic cases”, Xi International Symposium on Radiation From Relativistic Electrons in Periodic Structures (Rreps2015), Journal of Physics Conference Series, 732, eds. Karataev P., Potylitsyn A., Strikhanov M., Tyukhtin A., IOP Publishing Ltd, 2016, UNSP 012034  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:252
    PDF полного текста:86
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025