Аннотация:
Показано, что при низких концентрациях заряженных частиц в замагниченной плазме с дрейфовой неустойчивостью могут возникать условия, когда возмущения концентрации достигают значений невозмущенной концентрации. В этом случае флуктуации потенциала определяют температуру электронов, а длина волны дрейфовых колебаний становится порядка дебаевской длины.
Образец цитирования:
Б. Н. Швилкин, “Об измерении дебаевского радиуса в неустойчивой газоразрядной плазме”, УФН, 168:5 (1998), 575–576; Phys. Usp., 41:5 (1998), 509–510
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1475
https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v168/i5/p575
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
Mihajlov A.A., Vitel Y., Ignjatovic L.M., “The New Screening Characteristics of Strongly Non-Ideal and Dusty Plasmas. Part 1: Single-Component Systems”, High Temp., 46:6 (2008), 737–745
Poklonski N.A., Vyrko S.A., Zabrodskii A.G., “Quasi-Static Capacitance of a Weakly Compensated Semiconductor with Hopping Conduction (on the Example of P-Si : B)”, Semiconductors, 41:1 (2007), 30–36