Аннотация:
В рамках метода функций распределения построена теория кристаллического
состояния вещества. Система двух точных уравнений для одно- и двухчастичных функций распределения решалась путем разложения в ряды по степеням малого параметра ε=(n−n0)/n0, где n – плотность кристалла и n0– плотность жидкости в точке ее кристаллизации. В нулевом порядке по ε теория приводит к уравнению Орнштейна–Цернике, определяющему все свойства расплава, в первом порядке – к уравнениям, определяющим тип симметрии кристалла и основные периоды решетки. Наконец, во втором порядке по ε теория позволяет рассчитать скачок плотности при кристаллизации расплава.
Предлагаемый метод решения справедлив только при температурах выше температуры тройной точки, т.е. там, где кристалл может находиться в равновесии со своим расплавом.
Образец цитирования:
Ю. В. Аграфонов, Г. A. Мартынов, “Статистическая теория кристаллического состояния”, ТМФ, 90:1 (1992), 113–127; Theoret. and Math. Phys., 90:1 (1992), 75–84
V. V. Zubkov, A. L. Isoyan, A. V. Zubkova, “The Use of the Embedded-Atom Method in Statistical Thermodynamics of Metals”, Phys. Metals Metallogr., 119:7 (2018), 613
В. И. Таланин, И. Е. Таланин, “Комплексообразование в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1977–1981; V. I. Talanin, I. E. Talanin, “Complex formation in semiconductor silicon within the framework of the Vlasov model of a solid state”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2050–2054
V. S. Kirchanov, V. M. Zharkov, “Effective functional for the supercoherent state of spinless algebra in the Hubbard model”, Russ Phys J, 54:6 (2011), 658
Г. A. Мартынов, УФН, 169:6 (1999), 595–624; Phys. Usp., 42:6 (1999), 517–543
Г. В. Халдеев, С. Н. Петров, “Компьютерное моделирование электрохимических процессов на межфазной границе”, Усп. хим., 67:2 (1998), 107–124; G. V. Khaldeev, S. N. Petrov, “Computer simulation of electrochemical processes on interfaces”, Russian Chem. Reviews, 67:2 (1998), 93–108