Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 2, страницы 174–178 (Mi qe17986)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченкоa, Д. Н. Романовичa, П. С. Гавринаa, Д. А. Веселовa, Т. А. Багаевb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, Н. А. Пихтинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм, изготовленных на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с тремя оптически не связанными лазерными частями. При накачке импульсами тока с амплитудой 47 А и длительностью 1 мкс продемонстрирована максимальная мощность 110 Вт, причем наибольший нагрев активной области не превысил 4.7 °С. При длительности лазерных импульсов 860 мкс максимальная оптическая мощность составила 22.6 Вт, при этом падение оптической мощности в конце импульса достигало 6.7%. Уменьшение длительности лазерного импульса до 85 мкс позволило довести пиковую лазерную мощность до 41.4 Вт при амплитуде тока накачки 20 А.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, туннельно-связанные гетероструктуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Исследования выполнены за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).
Поступила в редакцию: 08.11.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 2, Pages 174–178
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17986
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i2/p174
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. Kennet D. R. Hannikainen, Fabien Deprat, Olivier Gourhant, Isabelle Berbezier, Jean‐Noël Aqua, Adv Materials Technologies, 9:4 (2024)  crossref
    2. С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1152–1165  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512  crossref
    3. И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 794–798  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S18–S24  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:276
    PDF полного текста:89
    Список литературы:65
    Первая страница:19
     
      Обратная связь:
    math-net2025_09@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025