С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 174

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 2, страницы 174–178 (Mi qe17986)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко^a, Д. Н. Романович^a, П. С. Гаврина^a, Д. А. Веселов^a, Т. А. Багаев^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, Н. А. Пихтин^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

PDF полного текста (855 kB) Список цитирования (3)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм, изготовленных на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с тремя оптически не связанными лазерными частями. При накачке импульсами тока с амплитудой 47 А и длительностью 1 мкс продемонстрирована максимальная мощность 110 Вт, причем наибольший нагрев активной области не превысил 4.7 °С. При длительности лазерных импульсов 860 мкс максимальная оптическая мощность составила 22.6 Вт, при этом падение оптической мощности в конце импульса достигало 6.7%. Уменьшение длительности лазерного импульса до 85 мкс позволило довести пиковую лазерную мощность до 41.4 Вт при амплитуде тока накачки 20 А.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, туннельно-связанные гетероструктуры.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	19-79-30072
Исследования выполнены за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).

Поступила в редакцию: 08.11.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 2, Pages 174–178
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17986

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17986

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i2/p174

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Kennet D. R. Hannikainen, Fabien Deprat, Olivier Gourhant, Isabelle Berbezier, Jean‐Noël Aqua, Adv Materials Technologies, 9:4 (2024)
С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1152–1165 ; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512
И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 794–798 ; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S18–S24

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	276
PDF полного текста:	89
Список литературы:	65
Первая страница:	19

Обратная связь:
math-net2025_09@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы