Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 10, страницы 905–908 (Mi qe17918)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волковa, Т. А. Багаевa, Д. Р. Сабитовa, А. Ю. Андреевa, И. В. Яроцкаяa, А. А. Падалицаa, М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкab, К. В. Бахваловc, Д. А. Веселовc, А. В. Лютецкийc, Н. А. Рудоваc, В. А. Стрелецc, С. О. Слипченкоc, Н. А. Пихтинc

a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (594 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Изучены полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проведено сравнение экспериментально полученных образцов лазеров с нелегированными и легированными волноводными слоями. Проанализированы различия их вольт-амперных характеристик. Установлено, что снижение последовательного сопротивления и напряжения отсечки вольт-амперной характеристики позволяет отодвинуть момент начала насыщения выходной оптической мощности и увеличить КПД исследованных полупроводниковых лазеров до 70% – 72%.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, легирование, выходная мощность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005).
Поступила в редакцию: 22.06.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 10, Pages 905–908
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17628
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolBagSab21}
\by Н.~А.~Волков, Т.~А.~Багаев, Д.~Р.~Сабитов, А.~Ю.~Андреев, И.~В.~Яроцкая, А.~А.~Падалица, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, К.~В.~Бахвалов, Д.~А.~Веселов, А.~В.~Лютецкий, Н.~А.~Рудова, В.~А.~Стрелец, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин
\paper Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900--920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
\jour Квантовая электроника
\yr 2021
\vol 51
\issue 10
\pages 905--908
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe17918}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=47514481}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2021
\vol 51
\issue 10
\pages 905--908
\crossref{https://doi.org/10.1070/QEL17628}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000706856400008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85117181495}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17918
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i10/p905
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. А. В. Фомин, Е. В. Ершов, C. А. Крюков, Квантовая электроника, 53:12 (2023), 902–904  mathnet
    2. Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181  mathnet; Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181  crossref  isi
    3. А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:263
    PDF полного текста:74
    Список литературы:47
    Первая страница:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025