Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 9, страницы 816–821 (Mi qe17316)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры, активные среды лазеров

Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP

В. Д. Курносов, К. В. Курносов

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
PDF полного текста (832 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Проведено численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим (многослойным) волноводом. Объяснены причины выбора данной конструкции гетероструктуры и то, к чему приводит выбор других соотношений слоев. Показано, как выбирать толщину активного волновода, положение активной области на волноводе и период решетки многослойного волновода.
Ключевые слова: расходимость излучения, коэффициент оптического ограничения, многослойный волновод, полупроводниковый лазер.
Поступила в редакцию: 25.02.2020
Исправленный вариант: 19.04.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 9, Pages 816–821
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17305
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. Д. Курносов, К. В. Курносов, “Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 816–821 [Quantum Electron., 50:9 (2020), 816–821]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17316
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i9/p816
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Y. Wang, K. F. Wang, B. L. Wang, Arch Appl Mech, 93:10 (2023), 4041  crossref
    2. Hailiang Dong, Zhigang Jia, Wei Jia, Jian Liang, Zhiyong Wang, Bingshe Xua, Phys. Chem. Chem. Phys., 24:43 (2022), 26708  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:169
    PDF полного текста:38
    Список литературы:24
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025