Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 4, страницы 392–400 (Mi qe17237)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом

О зависимости эмиттанса от длины сгустка электронов при лазерно-плазменном ускорении в направляющих структурах

М. Е. Вейсманa, Н. Е. Андреевab

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
Список литературы:
Аннотация: Проведены теоретический анализ и численное моделирование динамики поперечного эмиттанса сгустка электронов при его ускорении в кильватерных полях, генерируемых лазерным импульсом в слабонелинейном режиме. Получены аналитические выражения для основных факторов, влияющих на рост эмиттанса в процессе ускорения и рассмотрен случай, когда характерный поперечный размер инжектированного сгустка превышает согласованный радиус, определяемый величиной фокусирующей силы в точке инжекции, исходным эмиттансом и энергией электронного сгустка, а конечное значение эмиттанса много больше начального. Описана динамика роста эмиттанса в процессе ускорения в зависимости от длины сгустка электронов и найдена длина сгустка, при которой происходит полное фазовое перемешивание бетатронных колебаний электронов и увеличение эмиттанса до его максимального значения, определяемого параметрами сгустка и фокусирующей силой в точке инжекции. Аналитические выражения находятся в хорошем согласии с результатами численного моделирования.
Ключевые слова: лазерно-плазменное ускорение электронов, кильватерные поля, эмиттанс пучка электронов, бетатронные колебания.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00908
Работа частично поддержана Программой фундаментальных исследований Президиума РАН “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом” и грантом РФФИ № 19-02-00908.
Поступила в редакцию: 26.02.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 4, Pages 392–400
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17306
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. Е. Вейсман, Н. Е. Андреев, “О зависимости эмиттанса от длины сгустка электронов при лазерно-плазменном ускорении в направляющих структурах”, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 392–400 [Quantum Electron., 50:4 (2020), 392–400]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17237
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i4/p392
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. С. В. Кузнецов, И. Р. Умаров, Н. Е. Андреев, Квантовая электроника, 53:3 (2023), 194–199  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 7 (2023), S741–S748  crossref
    2. М. Е. Вейсман, И. Р. Умаров, Д. В. Пугачёва, Н. Е. Андреев, Квантовая электроника, 53:2 (2023), 182–188  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 6 (2023), S724–S733  crossref
    3. Ali Shekari-Firouzjaei, Hassan Sobhani, Eur. Phys. J. Plus, 138:2 (2023)  crossref
    4. Gorbunkov M.V. Maslova Yu.Y. Shabalin Yu.V. Tunkin V.G., Photonics, 9:2 (2022), 106  crossref  isi
    5. Д. В. Пугачёва, Н. Е. Андреев, Квантовая электроника, 51:9 (2021), 826–832  mathnet; Quantum Electron., 51:9 (2021), 826–832  crossref  isi  elib
    6. M. Veysman, Laser Part. Beams, 2021 (2021), 6655499  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:210
    PDF полного текста:56
    Список литературы:35
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025