Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 7, страницы 603–606 (Mi qe16860)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Лазеры

Энергетические и спектральные характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 с накачкой излучением Ho : YAG-лазера

А. И. Грибенюковa, С. М. Ватникb, В. В. Деминc, С. Н. Подзываловc, И. Г. Половцевc, Н. Н. Юдинc

a Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально реализованы средняя мощность генерации параметрического генератора (ПГ) на основе монокристалла ZnGeP2, составившая ~1.5 Вт, и КПД, равный ~28.6% в диапазоне длин волн 3.5–4.8 мкм при средней мощности излучения накачки ~5.5 Вт и плотности его энергии ~0.47 Дж/см2. Показано, что существуют пороговые условия по средней мощности излучения накачки для реализации параметрической генерации. При этом рост эффективности генерации наблюдается с увеличением плотности энергии излучения накачки до ~0.4 Дж/см2, а при дальнейшем ее увеличении выходная мощность растет за счет уменьшения порога параметрической генерации. Параметрические генераторы на основе монокристаллов ZnGeP2 с указанными характеристиками являются перспективными для решения многих прикладных задач, в том числе для генерации терагерцевого излучения при накачке нелинейных кристаллов излучением таких ПГ на разностной частоте.
Ключевые слова: параметрическая генерация, ZnGeP2, нелинейные кристаллы, излучение среднего ИК диапазона.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.2712.2017/4.6
Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ (проект № 8.2712.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 19.03.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 7, Pages 603–606
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16682
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. И. Грибенюков, С. М. Ватник, В. В. Демин, С. Н. Подзывалов, И. Г. Половцев, Н. Н. Юдин, “Энергетические и спектральные характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 с накачкой излучением Ho : YAG-лазера”, Квантовая электроника, 48:7 (2018), 603–606 [Quantum Electron., 48:7 (2018), 603–606]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16860
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i7/p603
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    1. Mikhail Zinoviev, Nikolay Yudin, Alexander Gribenyukov, Sergey Podzyvalov, Victor Dyomin, Igor Polovtsev, Valentin Suslyaev, Yelena Zhuravlyova, Optical Materials, 111 (2021), 110662  crossref
    2. G. Li, Zh. Yang, J. Li, Sh. Pan, Chem. Commun., 56:78 (2020), 11565–11576  crossref  isi
    3. A. A. Sirotkin, N. N. Yudin, V. V. Dyomin, A. I. Gribenyukov, Laser Phys. Lett., 17:3 (2020), 035402  crossref  isi
    4. N. N. Yudin, S. N. Podzyvalov, M. M. Zinoviev, Russ. Phys. J., 62:12 (2020), 2379–2381  crossref  isi  scopus
    5. Yudin N.N., Zinoviev M.M., Podzyvalov S.N., Romanovsky O.A., Olshukov A.S., Zhuravleva V E., Proceedings of Spie, 11582, eds. Romanovskii O., Kistenev Y., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2020, 115821Z  crossref  isi
    6. A. I. Gribenyukov, N. N. Yudin, S. N. Podzyvalov, M. M. Zinoviev, A. S. Olshukov, A. S. Shumeiko, A. N. Soldatov, N. A. Yudin, Opt. Mem. Neural Networks, 29:2 (2020), 147  crossref
    7. N. N. Yudin, M. M. Zinov'ev, V. S. Korsakov, J. Opt. Technol., 86:6 (2019), 379–384  crossref  isi
    8. A. I. Gribenyukov, K. V. Dorozhkin, M. M. Zinovev, S. N. Podzyvalov, I. G. Polovtcev, V. I. Suslyaev, N. N. Yudin, Russ. Phys. J., 62:6 (2019), 1009–1016  crossref  isi
    9. H. Xie, Sh. Fang, H. Zhao, X. Xu, N. Ye, W. Zhuang, RSC Adv., 9:61 (2019), 35771–35779  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:292
    PDF полного текста:79
    Список литературы:53
    Первая страница:28
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025