Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

Проведен расчёт пороговых характеристик полупроводникового лазера на квантовой яме (КЯ) с использованием условия глобальной электронейтральности, которое включает носители заряда как в активной, так и в волноводной области и, таким образом, представляет собой равенство полного заряда электронов полному заряду дырок в этих двух областях. Показано, что на пороге генерации концентрации электронов и в КЯ, и в волноводной области не равны концентрациям дырок в этих областях, т. е. в каждой из областей локальная электронейтральность нарушается. В зависимости от скоростей захвата носителей из волноводной области в КЯ, концентрация электронов может быть как выше, так и ниже концентрации дырок (и в КЯ, и в волноводной области). Показано, что заряд носителей каждого знака в волноводной области превышает таковой в КЯ.