Аннотация:
Рассмотрено распространение частотно-модулированных импульсов в одномерном фотонном кристалле с усилением. Получено выражение, корректно описывающее время смещения максимума проходящего импульса с учетом его характеристик – длительности, частотной модуляции и положения спектра в запрещенной зоне. Аналитические выражения находятся в принципиальном согласии с результатами численного моделирования. Рассмотрено влияние усиления в фотонно-кристаллической структуре. Показана возможность управления параметрами проходящего импульса при помощи изменения частотной модуляции входящего импульса.
Ключевые слова:
одномерные фотонные кристаллы, частотно-модулированные импульсы, время задержки.
Поступила в редакцию: 09.06.2014 Исправленный вариант: 20.07.2014
Образец цитирования:
И. О. Золотовский, Д. А. Коробко, В. А. Остаточников, “Распространение частотно-модулированных импульсов в активных одномерных фотонных кристаллах”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 136–142 [Quantum Electron., 45:2 (2015), 136–142]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16117
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i2/p136
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
Ibtihaj Ahmed Kadhim, Samad Roshan Entezar, Amir Madani, Phys. Scr., 99:2 (2024), 025521
B. A. Veklenko, Opt. Commun., 392 (2017), 43–47
И. О. Золотовский, Д. А. Коробко, О. Г. Охотников, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 628–634; Quantum Electron., 45:7 (2015), 628–634