Н. Г. Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе

Представлен обзор работ, посвященных созданию и исследованию полупроводниковых лазеров в период 1957 – 1977 гг. в ФИАНе. Многие работы в этом направлении были инициированы Н. Г. Басовым, начиная с "долазерных" времен, когда Н. Г. Басов и его сотрудники сформулировали принципиальные условия создания лазеров на межзонных переходах в полупроводниках. Главными направлениями дальнейших работ были диодные лазеры на основе различных материалов и структур, их мощностные характеристики, быстродействие и надежность.