Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208–210 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 208

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 3, страницы 208–210 (Mi qe14798)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

Г. Ю. Орлова^a, В. И. Власов^b, Ю. Д. Заварцев^b, А. И. Загуменный^b, И. И. Калашникова^a, С. А. Кутовой^b, В. С. Наумов^a, А. А. Сироткин^b

^a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

PDF полного текста (347 kB) Список цитирования (2)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Впервые обнаружена зависимость эффективности генерации лазеров с полупроводниковой накачкой и активными элементами из кристаллов ортованадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и иттрияскандия (ванадатов редкоземельных элементов) от степени структурного несовершенства (качества) кристаллов. Это позволяет предсказывать генерационные параметры на стадии заготовок без изготовления активных элементов.

Ключевые слова: ванадат иттрия, ванадат гадолиния, смешанные ванадаты редкоземельных элементов, структурное несовершенство, генерационные параметры.

Поступила в редакцию: 22.11.2011
Исправленный вариант: 13.02.2012

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 3, Pages 208–210
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n03ABEH014798

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj, 61.05.Cp

Образец цитирования: Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208–210 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 208–210]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe14798

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i3/p208

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

M. Piz, E. Filipek, J. Therm. Anal. Calorim., 130:1 (2017), 277–283
J.Z. Domagala, W. Paszkowicz, J. Bak-Misiuk, O.N. Ermakova, H. Dabkowska, Radiation Physics and Chemistry, 2013

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	284
PDF полного текста:	135
Список литературы:	44
Первая страница:	2

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_03@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы