Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 24, страницы 72–79
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641 (Mi pjtf6047) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц

Н. Д. Жуковa, Д. С. Мосияшa, И. В. Синёвb, А. А. Хазановa, А. В. Смирновb, И. В. Лапшинc

a ООО "Реф-Свет", Саратов
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
c АО "ГИРЕДМЕТ", Москва
PDF полного текста (409 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) проводимости в мультизеренных слоях субмикронных частиц кремния, арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. Наночастицы получены помолом монокристаллов на шаровой мельнице и после седиментации нанесены на подложки электроосаждением. Детальный анализ ВАХ позволил установить, что их поведение определяется механизмом межзеренной туннельной эмиссии из приповерхностных электронных состояний субмикронных частиц. Определены параметры эмиссионного процесса. Использование мультизеренных полупроводниковых структур возможно в газовых и оптических сенсорах, приемниках ИК-излучений.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 12, Pages 1124–1127
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501712029X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, И. В. Синёв, А. А. Хазанов, А. В. Смирнов, И. В. Лапшин, “Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 72–79; Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1124–1127
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMosSin17}
\by Н.~Д.~Жуков, Д.~С.~Мосияш, И.~В.~Синёв, А.~А.~Хазанов, А.~В.~Смирнов, И.~В.~Лапшин
\paper Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 24
\pages 72--79
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6047}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30646465}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 12
\pages 1124--1127
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501712029X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6047
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i24/p72
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    1. Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, “СТМ-параметрия полупроводниковых коллоидных квантовых точек”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2021, № 8(110), 19–27  mathnet  crossref
    2. Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, В. Ф. Кабанов, И. Т. Ягудин, “Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 319–325  mathnet  crossref; N. D. Zhukov, M. V. Gavrikov, V. F. Kabanov, I. T. Yagudin, “Single-electron emission-injection transport in a microstructure with colloidal quantum dots of narrow-gap semiconductors”, Semiconductors, 55:5 (2021), 470–475  mathnet  crossref
    3. Х. А. Абдуллин, С. К. Жумагулов, Г. А. Исмаилова, Ж. К. Калкозова, В. В. Кудряшов, А. С. Серикканов, “Синтез гетерогенных наноструктур ZnO/Co3O4 методом химического осаждения из растворов”, ЖТФ, 90:7 (2020), 1184–1188  mathnet  crossref; Kh. A. Abdullin, S. K. Zhumagulov, G. A. Ismailova, Zh. K. Kalkozova, V. V. Kudryashov, A. S. Serikkhanov, “Synthesis of heterogeneous ZnO/Co3O4 nanostructures by chemical deposition from solutions”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1139–1143  mathnet  crossref
    4. Н. Д. Жуков, И. Т. Ягудин, Н. П. Абаньшин, Д. С. Мосияш, “Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 40–43  mathnet  crossref; N. D. Zhukov, I. T. Yagudin, N. P. Abanshin, D. S. Mosiyash, “A study of quantum dots in a multigrain layer of a planar-end microstructure”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1088–1091  mathnet  crossref
    5. Д. В. Крыльский, Н. Д. Жуков, “Синтез и свойства больших квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 15–18  mathnet  crossref; D. V. Krylsky, N. D. Zhukov, “Synthesis and properties of indium antimonide big quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 901–904  mathnet  crossref
    6. Katarzyna E. Hnida, Mateusz Marzec, Ewelina Wlaźlak, Damian Chlebda, Konrad Szaciłowski, Dominika Gilek, Grzegorz D. Sulka, Marek Przybylski, “Influence of pulse frequency on physicochemical properties of InSb films obtained via electrodeposition”, Electrochimica Acta, 304 (2019), 396  crossref
    7. Н. Д. Жуков, М. И. Шишкин, А. А. Хазанов, С. В. Дежуров, “Спектры фотолюминесценции и плазменного отражения коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 8(74), 21–25  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:87
    PDF полного текста:40
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025