Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 13, страницы 14–16
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47950.17819 (Mi pjtf5387) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Оценки скорости Ферми и эффективной массы в эпитаксиальных графене и карбине

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (87 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47950.17819
Аннотация: Показано, что для слабо связанных с подложкой бесщелевых графена и карбина-кумулена естественной характеристикой является скорость Ферми электрона, тогда как при наличии щели (графен со щелью и карбин-полиин) такой характеристикой является эффективная масса электрона. Приведены соответствующие аналитические оценки.
Ключевые слова: закон дисперсии, плотность состояний, металлическая и полупроводниковая подложки.
Поступила в редакцию: 02.04.2019
Исправленный вариант: 02.04.2019
Принята в печать: 05.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 7, Pages 650–652
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019070058
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Оценки скорости Ферми и эффективной массы в эпитаксиальных графене и карбине”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 14–16; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 650–652
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav19}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Оценки скорости Ферми и эффективной массы в эпитаксиальных графене и карбине
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 13
\pages 14--16
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5387}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47950.17819}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131071}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 7
\pages 650--652
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019070058}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5387
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i13/p14
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Effect of Adsorbed Macromolecule on the Carriers Mobility in Single Layer Graphene: Dangling Bonds Model”, Semiconductors, 58:5 (2024), 401  crossref
    2. Aiswarya Pradeepkumar, D. Kurt Gaskill, Francesca Iacopi, “Electronic and Transport Properties of Epitaxial Graphene on SiC and 3C-SiC/Si: A Review”, Applied Sciences, 10:12 (2020), 4350  crossref
    3. С. Ю. Давыдов, “Низкоразмерные структуры карбида кремния: аналитические оценки характеристик электронного спектра”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 446–451  mathnet  crossref; S. Yu. Davydov, “Low-dimensional silicon-carbide structures: analytical estimates of electron-spectrum characteristics”, Semiconductors, 54:5 (2020), 523–528  mathnet  crossref
    4. С. Ю. Давыдов, “Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра”, Физика твердого тела, 62:6 (2020), 955–959  mathnet  crossref; S. Yu. Davydov, “AlN and GaN nanostructures: analytical estimations of the characteristics of the electronic spectrum”, Phys. Solid State, 62:6 (2020), 1085–1089  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025