Аннотация:
Впервые исследованы параметры генерации терагерцевого излучения в двумерной пленке WSe$_{2}$, выращенной методом химического осаждения из газовой фазы. Определен основной механизм генерации терагерцевого излучения в рассматриваемой структуре. Исследована зависимость амплитуды терагерцевого сигнала от азимутального угла двумерной пленки WSe$_{2}$. Проведен расчет распределения электрического поля лазерной накачки в структуре WSe$_{2}$/SiO$_{2}$/Si в зависимости от толщины диоксида кремния. Теоретически обоснован выбор оптимальной геометрии структуры для эффективной генерации терагерцевого излучения монослойной пленкой WSe$_{2}$.
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-10165). Работы по созданию экспериментальной установки и отработке методики выполнены при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (государственное задание № 3.7331.2017/9.10 (А.М. Буряков)).
Поступила в редакцию: 12.09.2019 Исправленный вариант: 12.09.2019 Принята в печать: 20.09.2019
Образец цитирования:
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 44–47; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1262–1265