Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 22, страницы 10–14
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50300.18442
(Mi pjtf4932)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением

А. В. Горбатоваa, Д. И. Хусяиновa, А. Э. Ячменевb, Р. А. Хабибуллинb, Д. С. Пономаревb, А. М. Буряковa, Е. Д. Мишинаa

a МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
Аннотация: Предложен высокочувствительный терагерцевый (THz) детектор на основе фотопроводящей антенны (ФПА) с плазмонным усилением на базе сверхрешеточной гетероструктуры InGaAs/InAlAs. Экспериментально обнаружено заметное увеличение фототока, регистрируемого плазмонным ФПА-детектором, и отношения сигнал/шум по сравнению с аналогичными параметрами для ФПА-детектора без плазмонных электродов. Эффективность работы плазмонных электродов экспериментально подтверждена методом импульсной THz-спектроскопии посредством измерения зависимости амплитуды THz-сигнала детектора от поляризации падающего лазерного излучения накачки.
Ключевые слова: фотопроводящая антенна, терагерцевый детектор, сверхрешетка, InGaAs/InAlAs, плазмонная решетка, плазмонные электроды.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FSFZ-0706-2020-0022
Российский фонд фундаментальных исследований 20-32-70129
Исследование выполнено при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (государственное задание № FSFZ-0706-2020-0022) (в части экспериментальных исследований временны́х и спектральных характеристик THz-излучения) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 20-32-70129) (в части изготовления и общей характеризации образцов).
Поступила в редакцию: 30.06.2020
Исправленный вариант: 29.07.2020
Принята в печать: 29.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1111–1115
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110218
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. Э. Ячменев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, А. М. Буряков, Е. Д. Мишина, “Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 10–14; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1111–1115
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorKhuYac20}
\by А.~В.~Горбатова, Д.~И.~Хусяинов, А.~Э.~Ячменев, Р.~А.~Хабибуллин, Д.~С.~Пономарев, А.~М.~Буряков, Е.~Д.~Мишина
\paper Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 22
\pages 10--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4932}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50300.18442}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367780}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1111--1115
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110218}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4932
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i22/p10
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    1. A. А. Guskov, N. V. Bezvikonnyi, S. D. Lavrov, “Kretschmann configuration as a method to enhance optical absorption in two-dimensional graphene-like semiconductors”, Rossijskij tehnologičeskij žurnal, 12:4 (2024), 96  crossref
    2. E. R. Burmistrov, L. P. Avakyants, “Study of the Parameters of a Two-Dimensional Electron Gas in InGaN/GaN Quantum Wells by Terahertz Plasmon Resonance”, Semiconductors, 56:2 (2022), 50  crossref
    3. Roger Lewis, Photoconductivity and Photoconductive Materials, 2022, 807  crossref
    4. A. S. Sigov, I. V. Gladyshev, A. N. Yurasov, “Nanoelectronics and nanotechnology: promising approaches in the educational process”, Rossijskij tehnologičeskij žurnal, 10:4 (2022), 93  crossref
    5. Andrey Guskov, Artur Avdizhiyan, Sergey Lavrov, Rinat Galiev, Anastasia Gorbatova, Arseniy Buryakov, Elena Mishina, “Sensitivity enhancement of two-dimensional WSe2-based photodetectors by ordered Ag plasmonic nanostructures”, Appl. Phys. Express, 14:7 (2021), 075005  crossref
    6. E. D. Mishina, A. M. Buryakov, D. S. Ponomarev, “New Materials and Structures for Efficient Terahertz (THz) Spectroscopy”, J. Commun. Technol. Electron., 66:9 (2021), 1045  crossref
    7. E. R. Burmistrov, L. P. Avakyants, “The Relaxation Time, Mobility, and Effective Mass of 2DEG in InGaN/GaN Quantum Wells According to Terahertz Plasmon Resonance Data”, Moscow Univ. Phys., 76:5 (2021), 371  crossref
    8. Arseniy M. Buryakov, Maxim S. Ivanov, Dinar I. Khusyainov, Anastasia V. Gorbatova, Vladislav R. Bilyk, Evgeniy A. Klimov, Galib B. Galiev, Paula M. Vilarinho, Elena D. Mishina, “Effects of Crystallographic Orientation of GaAs Substrate and the Period of Plasmon Grid on THz Antenna Performance”, Annalen der Physik, 533:8 (2021)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:88
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025