Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 302–312 (Mi phts6508)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках

Н. А. Поклонскийa, С. А. Выркоa, А. И. Ковалевa, А. Г. Забродскийb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Предложен квазиклассический метод расчета сужения энергетической щели Хаббарда между акцепторными зонами A0 и A+ в дырочном полупроводнике (или донорными зонами D0 и D в электронном полупроводнике), который определяет явление перехода полупроводника из изоляторного состояния в металлическое при увеличении уровня легирования. Основная (легирующая) примесь может находиться в одном из трех зарядовых состояний (-1, 0, +1), а компенсирующая – в состояниях (+1) или (-1). Распределение примесей по кристаллу предполагается случайным, ширина зон (уровней) Хаббарда – много меньшей ширины щели между ними. Показано, что сужение щели Хаббарда происходит вследствие формирования из возбужденных состояний электрически нейтральных акцепторов (или доноров) квазинепрерывной зоны разрешенных значений энергии для дырок (или электронов). Эта квазинепрерывная зона сливается с потолком валентной зоны (v-зоны) для акцепторов (с дном зоны проводимости (c-зоны) для доноров), т. е. потолок v-зоны для полупроводника p-типа проводимости (дно c-зоны для полупроводника n-типа проводимости) “смещается” в глубь запрещенной зоны. Величина этого смещения определяется максимальным радиусом боровской орбиты возбужденного состояния электрически нейтрального атома основной примеси, не превышающим половины среднего расстояния между ближайшими примесями. Увеличение концентрации легирующей примеси приводит к тому, что оба энергетических уровня Хаббарда становятся более “мелкими”, а щель между ними сужается. Выведены аналитические формулы, описывающие термически активированный прыжковый переход дырок (или электронов) между зонами Хаббарда. Выполненные на их основе расчеты сужения щели при увеличении уровня легирования, проявляющегося в уменьшении величины энергии активации ε2, согласуются с известными экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-кремния, легированного бором, и n-германия, легированного сурьмой.
Поступила в редакцию: 03.08.2015
Принята в печать: 08.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 299–308
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. И. Ковалев, А. Г. Забродский, “Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 302–312; Semiconductors, 50:3 (2016), 299–308
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PokVyrKov16}
\by Н.~А.~Поклонский, С.~А.~Вырко, А.~И.~Ковалев, А.~Г.~Забродский
\paper Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 302--312
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6508}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668150}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 299--308
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030192}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6508
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p302
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    1. Nikolai A. Poklonski, Ilya I. Anikeev, Sergey A. Vyrko, Andrei G. Zabrodskii, “Calculation of the Activation Energy of Electrical ε2‐Conductivity of Weakly Compensated Semiconductors”, Physica Status Solidi (b), 2024  crossref
    2. Yasutomo Kajikawa, “Hopping thermopower in FEGA3”, Int. J. Mod. Phys. B, 37:13 (2023)  crossref
    3. Yasutomo Kajikawa, “Hopping conduction in FeSi II. deconvolution analyses of temperature-dependent conductivity and its reduced activation energy”, Int. J. Mod. Phys. B, 36:14 (2022)  crossref
    4. N. A. Poklonski, “Mathematical and computer simulation of semiconductor systems of various dimensions and the elements of device structures based on them”, Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-matematyčnyh navuk, 57:4 (2021), 495  crossref
    5. N. A. Poklonski, A. N. Dzeraviaha, S. A. Vyrko, A. G. Zabrodskii, A. I. Veinger, P. V. Semenikhin, “Curie–Weiss behavior of the low-temperature paramagnetic susceptibility of semiconductors doped and compensated with hydrogen-like impurities”, AIP Advances, 11:5 (2021)  crossref
    6. Yasutomo Kajikawa, “Hopping conduction in FeSi. I. The Hall, Seebeck, and Nernst effects due to hopping conduction in the top and bottom impurity Hubbard bands”, AIP Advances, 11:10 (2021)  crossref
    7. Yasutomo Kajikawa, “Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model”, Materials Science and Engineering: B, 263 (2021), 114809  crossref
    8. Yasutomo Kajikawa, “Deconvolution of temperature dependence of conductivity, its reduced activation energy, and Hall-effect data for analysing impurity conduction in n-ZnSe”, Philosophical Magazine, 100:15 (2020), 2018  crossref
    9. Nikolai A. Poklonski, Sergey A. Vyrko, Aliaksandr N. Dzeraviaha, “Thermal ionization energy of hydrogen-like impurities in semiconductor materials”, Journal of the Belarusian State University. Physics, 2020, no. 2, 28  crossref
    10. Yasutomo Kajikawa, “Significant Effects of the D- Band on the Hall Coefficient and the Hall Mobility of n‐InP”, Physica Status Solidi (b), 257:2 (2020)  crossref
    11. N A Poklonski, S A Vyrko, A I Kovalev, A N Dzeraviaha, “Drift-diffusion model of hole migration in diamond crystals via states of valence and acceptor bands”, J. Phys. Commun., 2:1 (2018), 015013  crossref
    12. Nikolai A. Poklonski, Sergey A. Vyrko, Alexander I. Kovalev, “THERMAL ACTIVATION ENERGY OF HOPPING ε2-CONDUCTION VIA BORON ATOMS IN WEAKLY COMPENSATED SILICON”, Dokl. Akad. nauk, 62:4 (2018), 406  crossref
    13. Yasutomo Kajikawa, “Updated Analysis of Low‐Temperature Data of Hall‐Effect Measurements on P‐Doped n‐Si on the Basis of an Impurity‐Hubbard‐Band Model”, physica status solidi c, 14:11 (2017)  crossref
    14. Yasutomo Kajikawa, “Refined Analysis of Low‐Temperature Data of Hall‐Effect Measurements on Sb‐Dopedn‐Ge on the Basis of an Impurity‐Hubbard‐Band Model”, Phys. Status Solidi C, 14:9 (2017), 1700151  crossref
    15. Yasutomo Kajikawa, “Analysis of low‐temperature data of Hall‐effect measurements on Ga‐doped p‐Ge on the basis of an impurity‐Hubbard‐band model”, Phys. Status Solidi C, 14:3-4 (2017)  crossref
    16. N. A. Poklonski, S. A. Vyrko, O. N. Poklonskaya, A. I. Kovalev, A. G. Zabrodskii, “Ionization equilibrium at the transition from valence-band to acceptor-band migration of holes in boron-doped diamond”, Journal of Applied Physics, 119:24 (2016)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:121
    PDF полного текста:40
     
      Обратная связь:
    math-net2025_09@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025