Аннотация:
Исследованы условия изготовления гетеропереходов n-FeS2/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пиролиза тонких пленок пирита на кристаллические подложки p-Cd1−xZnxTe. На основе комплексного анализа вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик установлено ограничение обратного тока областью пространственного заряда при малых обратных смещениях и проанализированы механизмы токообразования с участием энергетических уровней в области гетероперехода. Предложена модель энергетического профиля гетероперехода n-FeS2/p-Cd1−xZnxTe, которая хорошо коррелирует с экспериментально определенными параметрами и динамикой их изменения с температурой.
Поступила в редакцию: 24.10.2017 Принята в печать: 01.11.2017
Образец цитирования:
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий, “Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов n-FeS2/p-Cd1−xZnxTe”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055; Semiconductors, 52:9 (2018), 1171–1177