Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 83–88
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46992.8939 (Mi phts5616) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Углеродные системы

Цепочечная модель декорирования зигзагообразной кромки графена

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (178 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46992.8939
Аннотация: На решетке типа “кирпичной стенки”, топологически эквивалентной решетке графена, построена простая структурная модель зигзагообразной кромки, декорированной частицами. Получены аналитические выражения для зонного спектра, плотностей состояний и чисел заполнения для системы графен-частицы, находящейся как в свободном состоянии, так и сформированной на металлической подложке.
Поступила в редакцию: 18.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 78–84
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Цепочечная модель декорирования зигзагообразной кромки графена”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 83–88; Semiconductors, 53:1 (2019), 78–84
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav19}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Цепочечная модель декорирования зигзагообразной кромки графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 83--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5616}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46992.8939}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476611}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 78--84
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5616
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p83
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. С. Ю. Давыдов, “Эффективные массы и характерные скорости носителей в низкоразмерных структурах ANB8−N”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 3–7  mathnet  crossref; S. Yu. Davydov, “Effective masses and characteristic velocities of charge carriers in low-dimensional ANB8−N structures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 50–54  mathnet  crossref
    2. С. Ю. Давыдов, “Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра”, Физика твердого тела, 62:6 (2020), 955–959  mathnet  crossref; S. Yu. Davydov, “AlN and GaN nanostructures: analytical estimations of the characteristics of the electronic spectrum”, Phys. Solid State, 62:6 (2020), 1085–1089  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025