Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 59–64
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46988.8814 (Mi phts5612) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, В. И. Орловb, О. В. Феклисоваb, Л. А. Павловаa, Р. В. Пресняковa

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
PDF полного текста (1111 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46988.8814
Аннотация: Методами тока, индуцированного электронным или лазерным пучком, исследована рекомбинационная активность внутризеренных дефектов в мультикристаллическом кремнии. Выявлена взаимосвязь ориентации зерен с характером распределения внутризеренных дефектов (дислокаций и примесных включений) и их рекомбинационной активностью. Дефектная структура зерен исследована с использованием различных методик травления для выявления дефектов. Показано, что плотность и распределение дефектов в зернах зависят от их ориентации относительно оси роста. Поэтому именно внутризеренные дефекты и примеси в большей степени, чем границы зерен, ответственны за деградацию времени жизни неравновесных носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-35-00140-мол_а
Министерство образования и науки Российской Федерации 007-01609-17-01
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 16-35-00140-мол_а с использованием научного оборудования ЦКП Изотопно-геохимических исследований ИГХ СО РАН и ЦКП “Утрамикроанализ” ЛИН СО РАН Объединенного Центра ультрамикроанализа ЛИН СО РАН. Работа, выполненная с использованием научного оборудования ИПТМ РАН, проводилась в рамках государственного задания № 007-01609-17-01.
Поступила в редакцию: 10.01.2018
Исправленный вариант: 11.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 55–59
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010160
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Л. А. Павлова, Р. В. Пресняков, “Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 59–64; Semiconductors, 53:1 (2019), 55–59
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PesYakNep19}
\by С.~М.~Пещерова, Е.~Б.~Якимов, А.~И.~Непомнящих, В.~И.~Орлов, О.~В.~Феклисова, Л.~А.~Павлова, Р.~В.~Пресняков
\paper Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 59--64
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5612}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46988.8814}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476606}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 55--59
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010160}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5612
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p59
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. “Распределение примесей в мультикристаллическом кремнии, выращенном из UMG-кремния методом Бриджмена”, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 2019, 35  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025