Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 147–157
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799 (Mi phts5578) 		 
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Обзоры

Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)

С. А. Карандашевa, Б. А. Матвеевa, М. А. Ременныйab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (531 kB) Список цитирования (15)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
Аннотация: Приводится обзор результатов, полученных при исследовании светодиодов на основе гетероструктур с активной областью из InAs, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, за последние 10 лет. Проводится анализ картины ближнего поля, ватт-амперных, вольт-амперных характеристик и квантового выхода светодиодов, имеющих конструкцию с точечным контактом и флип-чип, в широком диапазоне температур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.576.21.0104
Работа, выполненная в ООО “ИоффеЛЕД”, поддержана проектом ФЦП “Разработка фоточувствительных элементов большой размерности для спектральных областей 2.5–3.5, 2.5–4.5, 2.5–5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из InAs и твердых растворов InAsSbP”, (код контракта 14.576.21.0104, ID: RFMEFI57618X0104).
Поступила в редакцию: 12.12.2017
Исправленный вариант: 16.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 139–149
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020131
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, “Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 147–157; Semiconductors, 53:2 (2019), 139–149
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarMatRem19}
\by С.~А.~Карандашев, Б.~А.~Матвеев, М.~А.~Ременный
\paper Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 147--157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5578}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476726}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 139--149
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5578
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p147
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025