Аннотация:
Размерная зависимость температуры плавления наночастиц Si исследовалась с использованием как молекулярно-динамического, так и термодинамического моделирования, основывающегося на применении формулы Томсона. Результаты атомистического моделирования, полученные с использованием потенциала Стиллинджера-Вебера, согласуются с результатами других авторов, а также с результатами термодинамического моделирования и предсказывают уменьшение температуры плавления Tm наночастиц Si с увеличением их обратного радиуса R−1 по линейному закону. Имеющиеся экспериментальные данные предсказывают более низкие значения Tm, включая предельное значение T(∞)m, отвечающее линейной экстраполяции экспериментальных точек к R−1→0 (т. е. к радиусу R→∞), причем занижение составляет 200–300 K по сравнению с табличным значением температуры плавления кремния (1688 K). Учитывая это, сделан вывод о том, что молекулярно-динамические результаты для Tm(R−1), полученные с использованием потенциала Стиллинджера–Вебера, являются более адекватными, чем имеющиеся экспериментальные данные.
Работа выполнена в Тверском государственном университете при финансовой поддержке РФФИ (грант
№ 18-43-690001) и Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения государственного задания в сфере научной деятельности (проект № 3.5506.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 05.06.2018 Исправленный вариант: 27.02.2019 Принята в печать: 28.02.2019
Образец цитирования:
И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников, “Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 964–970; Semiconductors, 53:7 (2019), 947–953