Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1128–1134
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48006.9112 (Mi phts5440) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

С. А. Блохинa, М. А. Бобровa, А. А. Блохинab, А. Г. Кузьменковb, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновb, Е. С. Колодезныйc, С. С. Рочасc, А. В. Бабичевc, И. И. Новиковc, А. Г. Гладышевc, Л. Я. Карачинскийad, Д. В. Денисовde, К. О. Воропаевfg, А. С. Ионовg, А. Ю. Егоровc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
f Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
g АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
PDF полного текста (157 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48006.9112
Аннотация: Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20–85∘C, однако слабая локализация электронов ведет к росту компрессии усиления при повышенных температурах. В результате при температуре 20∘C частота эффективной модуляции вертикально-излучающих лазеров за счет повышения потерь на вывод излучения может быть увеличена с 9.2 до 11.5 ГГц, тогда как при температуре 85∘C частота эффективной модуляции не превышает 8.5 ГГц, слабо зависит от потерь на вывод излучения и в основном лимитирована насыщением оптического усиления.
Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, частота модуляции, время жизни фотонов в резонаторе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0253
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования России, федеральная целевая программа “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”, соглашение о предоставлении субсидии от 26.09.2017 г. № 14.578.21.0253, уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253.
Поступила в редакцию: 25.03.2019
Исправленный вариант: 01.04.2019
Принята в печать: 01.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1104–1109
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, “Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1128–1134; Semiconductors, 53:8 (2019), 1104–1109
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloBobBlo19}
\by С.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, А.~А.~Блохин, А.~Г.~Кузьменков, Н.~А.~Малеев, В.~М.~Устинов, Е.~С.~Колодезный, С.~С.~Рочас, А.~В.~Бабичев, И.~И.~Новиков, А.~Г.~Гладышев, Л.~Я.~Карачинский, Д.~В.~Денисов, К.~О.~Воропаев, А.~С.~Ионов, А.~Ю.~Егоров
\paper Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1128--1134
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5440}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48006.9112}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129844 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1104--1109
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080074}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5440
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1128
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    1. Jingbiao Chen, Tiantian Shi, Duo Pan, Zheyi Ge, Jia Zhang, Zijie Liu, Xiaomin Qin, Yaqi Wang, Faraday Laser, 2025, 305  crossref
    2. Andrey Babichev, Sergey Blokhin, Andrey Gladyshev, Leonid Karachinsky, Innokenty Novikov, Alexey Blokhin, Mikhail Bobrov, Yakov Kovach, Alexander Kuzmenkov, Vladimir Nevedomsky, Nikolay Maleev, Evgenii Kolodeznyi, Kirill Voropaev, Alexey Vasilyev, Victor Ustinov, Anton Egorov, Saiyi Han, Si-Cong Tian, Dieter Bimberg, “Impact of Device Topology on the Performance of High-Speed 1550 nm Wafer-Fused VCSELs”, Photonics, 10:6 (2023), 660  crossref
    3. I. I. Novikov, I. A. Nyapshaev, A. G. Gladyshev, V. V. Andryushkin, A. V. Babichev, L. Yu. Karachinsky, Yu. M. Shernyakov, D. V. Denisov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, “The Influence of the Waveguide Layer Composition on the Emission Parameters of 1550 nm InGaAs/InP Laser Heterostructures”, Semiconductors, 57:11 (2023), 492  crossref
    4. Andrey Babichev, Sergey Blokhin, Evgenii Kolodeznyi, Leonid Karachinsky, Innokenty Novikov, Anton Egorov, Si-Cong Tian, Dieter Bimberg, “Long-Wavelength VCSELs: Status and Prospects”, Photonics, 10:3 (2023), 268  crossref
    5. Andrey Babichev, Sergey Blokhin, Andrey Gladyshev, Leonid Karachinsky, Innokenty Novikov, Alexey Blokhin, Mikhail Bobrov, Nikolay Maleev, Vladislav Andryushkin, Evgenii Kolodeznyi, Dmitrii Denisov, Natalia Kryzhanovskaya, Kirill Voropaev, Victor Ustinov, Anton Egorov, Hui Li, Si-Cong Tian, Saiyi Han, Georgiy Sapunov, Dieter Bimberg, “Single-Mode High-Speed 1550 nm Wafer Fused VCSELs for Narrow WDM Systems”, IEEE Photon. Technol. Lett., 35:6 (2023), 297  crossref
    6. Sergey A. Blokhin, Andrey V. Babichev, Andrey G. Gladyshev, Leonid Ya. Karachinsky, Innokenty I. Novikov, Alexey A. Blokhin, Mikhail A. Bobrov, Nikolay A. Maleev, Vladislav V. Andryushkin, Dmitrii V. Denisov, Kirill O. Voropaev, Irina O. Zhumaeva, Victor M. Ustinov, Anton Yu. Egorov, Nikolay N. Ledentsov, “High Power Single Mode 1300-nm Superlattice Based VCSEL: Impact of the Buried Tunnel Junction Diameter on Performance”, IEEE J. Quantum Electron., 58:2 (2022), 1  crossref
    7. A.V. Apanasevich, A.A. Petrenko, V.E. Bougrov, “Polarization Instabilities in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers”, Rev Adv Mater Tech, 4:1 (2022), 9  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025