Аннотация:
Представлены результаты исследования влияния освещения на характер частотной зависимости электрических параметров монокристаллов силиката висмута Bi1212SiO2020 (BSO). Излучение видимой области спектра приводит к изменению значений диэлектрических параметров (к фотодиэлектрическому эффекту) и проявлению фотопроводимости в низкочастотном диапазоне измерения. Установлен прыжковый характер проводимости в темновом режиме и при световом возбуждении. Обсуждаются возможные механизмы фотоэлектрического эффекта и переноса заряда в исследуемых кристаллах.
Образец цитирования:
В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, “Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi1212SiO2020”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 22–24; Semiconductors, 54:1 (2020), 19–21
Wenliu Luo, Ling Yang, Mao Ye, Yanghong Ou, Jiwen Xu, Huarui Xu, “Photodielectric and Luminescence Properties of (K0.5Na0.5)NbO3-Based Ceramics Modified by (Sr0.5Sm0.5)(Mg0.5Nb0.5)O3”, J. Electron. Mater., 53:2 (2024), 907
Marcin Kowalczyk, Marcin Kaczkan, Andrzej Majchrowski, Michał Malinowski, “A Comparative Study of Eu3+-Doped Sillenites: Bi12SiO20 (BSO) and Bi12GeO20 (BGO)”, Materials, 16:4 (2023), 1621
Indranil Bhaumik, V. L. Ananthu Vijayan, Rajeev Bhatt, Mohammad Soharab, Sarveswaran Ganesamoorthy, Ashwani Kumar Karnal, “Crystal Interface Control at Low Thermal Gradient and Investigation of the Effect of Cr on the Crystal Structure and Optical Properties of Bismuth Silicate”, Physica Status Solidi (b), 258:12 (2021)