Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 22–24
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48763.9192
(Mi phts5294)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi1212SiO2020

В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния освещения на характер частотной зависимости электрических параметров монокристаллов силиката висмута Bi1212SiO2020 (BSO). Излучение видимой области спектра приводит к изменению значений диэлектрических параметров (к фотодиэлектрическому эффекту) и проявлению фотопроводимости в низкочастотном диапазоне измерения. Установлен прыжковый характер проводимости в темновом режиме и при световом возбуждении. Обсуждаются возможные механизмы фотоэлектрического эффекта и переноса заряда в исследуемых кристаллах.
Ключевые слова: силикат висмута, силленит, фотодиэлектрический эффект, фотопроводимость, диэлектрическая проницаемость.
Поступила в редакцию: 18.06.2019
Исправленный вариант: 08.07.2019
Принята в печать: 08.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 19–21
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, “Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi1212SiO2020”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 22–24; Semiconductors, 54:1 (2020), 19–21
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaPis20}
\by В.~Т.~Аванесян, И.~В.~Писковатскова
\paper Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 22--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5294}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48763.9192}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571058}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 19--21
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5294
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p22
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Rui Li, Mingkai Sun, Yujun Ma, Shengxin Li, Liyang Wang, Yimin Cui, “Improved visible-light-dielectric response in self-doped rutile TiO2”, Journal of Alloys and Compounds, 1010 (2025), 177134  crossref
    2. Rui Li, Xiaoxian Chen, Jiayu Guan, Guoxing Zhao, Qingwen Ma, Yan Chen, Yimin Cui, “Ultra-sensitive photodielectric effect in Sn-doped LaNb3O9 ceramics”, Ceramics International, 2025  crossref
    3. Wenliu Luo, Ling Yang, Mao Ye, Yanghong Ou, Jiwen Xu, Huarui Xu, “Photodielectric and Luminescence Properties of (K0.5Na0.5)NbO3-Based Ceramics Modified by (Sr0.5Sm0.5)(Mg0.5Nb0.5)O3”, J. Electron. Mater., 53:2 (2024), 907  crossref
    4. Marcin Kowalczyk, Marcin Kaczkan, Andrzej Majchrowski, Michał Malinowski, “A Comparative Study of Eu3+-Doped Sillenites: Bi12SiO20 (BSO) and Bi12GeO20 (BGO)”, Materials, 16:4 (2023), 1621  crossref
    5. Indranil Bhaumik, V. L. Ananthu Vijayan, Rajeev Bhatt, Mohammad Soharab, Sarveswaran Ganesamoorthy, Ashwani Kumar Karnal, “Crystal Interface Control at Low Thermal Gradient and Investigation of the Effect of Cr on the Crystal Structure and Optical Properties of Bismuth Silicate”, Physica Status Solidi (b), 258:12 (2021)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025