Аннотация:
В лазере с асимметричными барьерными слоями два тонких асимметричных барьерных слоя, прилегающих к активной области по обе стороны, направлены на предотвращение биполярной заселенности волноводных слоев и соответственно подавление паразитной рекомбинации в них. В работе предложена теоретическая модель лазера с асимметричными барьерными слоями, основанная на скоростных уравнениях, и учитывающая нежелательную утечку носителей заряда, которая неизбежно происходит в лазерах такого типа, реализуемых на практике. Получены решения уравнений для стационарного случая. На примере лазера на квантовой яме InGaAs/GaAs (длина волны лазерного излучения λ = 980 нм) исследовано влияние утечек сквозь асимметричные барьерные слои на приборные характеристики. Оценены степени подавления паразитных потоков за счет асимметричных барьерных слоев, необходимые для устранения негативного влияния волноводной рекомбинации. Для рассматриваемого случая эффект от асимметричных барьерных слоев становится заметен при степенях подавления паразитных потоков C ⩾ 102. Для подавления 90% паразитного тока требуется C ≈ 2 ⋅ 104. В работе также исследовано воздействие асимметричных барьерных слоев на полезные потоки носителей, поступающих в активную область.
Образец цитирования:
Ф. И. Зубов, М. Е. Муретова, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, “Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 296–303; Semiconductors, 54:3 (2020), 366–373
\RBibitem{ZubMurPay20}
\by Ф.~И.~Зубов, М.~Е.~Муретова, А.~С.~Паюсов, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков, Л.~В.~Асрян
\paper Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 296--303
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5268}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49036.9311}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776686}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 366--373
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030203}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5268
https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p296
Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
E. Kaynar, B. O. Alaydin, “Optical properties of AlxInyGa1-x-yAs/AlzGawIn1-z-wAs quantum wells under electric and magnetic fields for telecommunication applications”, Eur. Phys. J. Plus, 138:2 (2023)
Zhang Xu, Hailiang Dong, Jia Zhi Gang, Zhang Ai Qin, Liang Jian, Wang Zhi Yong, Xu Bing She, “Effect of Ga1-xInxAs1-yPy Al-free asymmetric barrier on GaAs-based 808-nm laser diode”, Opt. Lett., 47:5 (2022), 1153
M. E. Muretova, F. I. Zubov, L. V. Asryan, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov, “Blocking-Layer Design for the Suppression of Parasitic Recombination in High-Power Laser Diodes with a GaAs Waveguide”, Semiconductors, 56:4 (2022), 246
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: