Формирование наностержней GaN в монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема

В монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема (МСМЧК) посредством высокотемпературного отжига из прекурсора Ga$_{2}$O$_{3}$ синтезированы наностержни GaN диаметром от 15 до 40 нм и длиной от 50 до 150 нм. Разработана методика удаления темплата посредством травления частиц МСМЧК/GaN в HF, позволяющая получать индивидуальные наностержни GaN. Обнаружено, что размер наностержней GaN значительно превосходит размеры пор МСМЧК (диаметр $\sim$3 нм, длина $\sim$10 нм). Предложен возможный механизм формирования наностержней GaN и перераспределения вещества внутри композитных частиц МСМЧК/GaN посредством поверхностной диффузии молекул газообразных продуктов реакций в порах и диффузии атомов Ga и N в аморфном кремнеземе.