Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 1, страницы 89–92
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.01.45488.2327 (Mi jtf6024) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Оптика

Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой nn- и pp-типа)

П. А. Иванов, И. В. Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (139 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.01.45488.2327
Аннотация: Проведены расчеты временных характеристик импульсных генераторов с дрейфовыми диодами с резким восстановлением на основе 4HH-SiC. Показано, что при фиксированных величинах амплитуды и начального “пьедестала” на зависимости выходного напряжения (не более 5% от амплитуды) 4HH-SiC-диоды с базой pp-типа уступают диодам с базой nn-типа по быстродействию.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-29-00094
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-29-00094).
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 1, Pages 86–89
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218010152
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой nn- и pp-типа)”, ЖТФ, 88:1 (2018), 89–92; Tech. Phys., 63:1 (2018), 86–89
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaGre18}
\by П.~А.~Иванов, И.~В.~Грехов
\paper Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 1
\pages 89--92
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6024}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.01.45488.2327}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32737524}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 1
\pages 86--89
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218010152}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6024
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i1/p89
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. Dengyao Guo, Xiaoyan Tang, Jingkai Guo, Yu Zhou, Lejia Sun, Yu Zhang, Yuming Zhang, Qingwen Song, “Theoretical Model, Experimental Survey, and Optimization of Pulse Parameters for 4H-SiC Drift Step Recovery Diode”, IEEE Trans. Plasma Sci., 53:4 (2025), 721  crossref
    2. D. Guo, X. Tang, J. Guo, Y. Zhou, Z. Jiang, Y. Feng, Y. Zhang, Q. Song, 2024 IEEE International Conference on Plasma Science (ICOPS), 2024, 1  crossref
    3. P A Bokhan, P P Gugin, M A Lavrukhin, D E Zakrevsky, I V Schweigert, A L Alexandrov, “Investigation of the characteristics and mechanism of subnanosecond switching of a new type of plasma switches. I. Devices with counter-propagating electron beams—kivotrons”, Plasma Sources Sci. Technol., 29:8 (2020), 084002  crossref
    4. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848  mathnet  crossref  adsnasa; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  crossref  isi  elib
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:83
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025