Аннотация:
Впервые установлена существенная фоточувствительность отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в кремнии с магнитными нанокластерами атомов марганца при освещении как фоновым, так и ИК-светом (до λ = 3 μm) при комнатной температуре. Обнаружено, что освещение приводит к существенному уменьшению величины ОМС, т. е. наблюдается эффект гашения ОМС, а при более высокой интенсивности освещения происходит инверсия знака магнитосопротивления. Установлены закономерности изменения величины ОМС и условий инверсии знака магнитосопротивления.
Образец цитирования:
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, К. С. Аюпов, С. Б. Исамов, С. А. Тачилин, “Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов”, ЖТФ, 89:3 (2019), 421–425; Tech. Phys., 64:3 (2019), 385–388