Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 10, страницы 1589–1591
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.10.48177.2475 (Mi jtf5498) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Твердотельная электроника

Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs

Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
PDF полного текста (98 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.10.48177.2475
Аннотация: Показано, что формирование на поверхности GaAs нанопленок GaAlAs приводит к увеличению значения коэффициента эмиссии истинно-вторичных электронов и квантового выхода фотоэлектронов, что объясняется отличием глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов для GaAs и для GaAlAs.
Ключевые слова: эмиссионные свойства, оптические свойства, нанопленка, ионная имплантация, пленки GaAs, нанокристаллические фазы.
Поступила в редакцию: 09.09.2017
Исправленный вариант: 16.03.2018
Принята в печать: 01.03.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 10, Pages 1506–1508
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219100220
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева, “Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1589–1591; Tech. Phys., 64:10 (2019), 1506–1508
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UmiDonMus19}
\by Б.~Е.~Умирзаков, С.~Б.~Донаев, Н.~М.~Мустафаева
\paper Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 10
\pages 1589--1591
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5498}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.10.48177.2475}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174992}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 10
\pages 1506--1508
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219100220}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5498
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i10/p1589
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    1. B. D. Igamov, G. T. Imanova, A. I. Kamardin, I. R. Bekpulatov, “Investigation of Coatings Formed by Thermal Oxidation on Monocrystalline Silicon”, Integrated Ferroelectrics, 240:1 (2024), 53  crossref
    2. B.D. Igamov, G.T. Imanova, V.V. Loboda, V.V. Zhurikhina, I.R. Bekpulatov, A.I. Kamardin, “Electrophysical and thermoelectric properties and crystal structure of the formed Mn4Si7 thin vacuum coatings”, Optical Materials: X, 24 (2024), 100353  crossref
    3. Z.A. Isakhanov, B.E. Umirzakov, G.T. Imanova, “Theoretical and experimental study of plasmon oscillation dispersion in Si and Ge crystals”, Optical Materials: X, 24 (2024), 100354  crossref
    4. Umida Ziyamukhamedova, Lutfullo Bakirov, Sardor Donaev, Gavkhar Miradullaeva, Elbek Turgunaliev, D. Bazarov, “Study of structure formation processes in matrices of mixed components with reinforcing natural fillers”, E3S Web of Conf., 401 (2023), 05074  crossref
    5. Sardor Donaev, Ganjimurod Shirinov, Burkhan Donaev, Rakhmatjon Ruzmetov, 2021 ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON APPLIED MATHEMATICS AND STATISTICS, 2471, 2021 ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON APPLIED MATHEMATICS AND STATISTICS, 2022, 050006  crossref
    6. Sardor Donaev, Ki Buem Kim, Eshboy Rabbimov, Baltokhodja Umirzakov, Ganjimurod Shirinov, 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ENERGETICS, CIVIL AND AGRICULTURAL ENGINEERING 2021 (ICECAE 2021), 2686, 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ENERGETICS, CIVIL AND AGRICULTURAL ENGINEERING 2021 (ICECAE 2021), 2022, 020003  crossref
    7. S B Donaev, J A Normuminov, A M Rakhimov, D Muminova, L H Nishonova, “The effect of implantation barium ions on the surface of Pd and Pd-Ba under ion bombardment”, IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci., 614:1 (2020), 012045  crossref
    8. S B Donaev, V N Karimova, A T Azimov, K Boltaboyev, M M Yakubova, “Using of ion implantation for obtaining nanostructures with the wide band GaP based on GaP”, IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci., 614:1 (2020), 012002  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025