|
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору
Г. М. Миньковab, О. Э. Рутa, А. А. Шерстобитовab, С. А. Дворецкийcd, Н. Н. Михайловdc, В. Я. Алешкинe a Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия
b Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
d Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
e Институт физики микроструктур РАН, 603087 д. Афонино, Нижегородская обл., Россия
Аннотация:
Для определения параметров энергетического спектра валентной зоны в квантовых ямах (QW) HgTe шириной (dQW) 20–200 нм измерены магнитополевые и температурные зависимости сопротивления и эффекта Холла. Сопоставление концентрации дырок, определенных из периода осцилляций Шубникова–де Гааза (SdH), и эффекта Холла показывает, что во всем диапазоне dQW кратность вырождения состояний потолка валентной зоны равна 2, а циклотронная масса, mh, определенная из температурной зависимости амплитуды осцилляций SdH, монотонно возрастает от 0.2m0 до 0.3m0 (m0 – масса свободного электрона) с ростом концентрации дырок, p, от 2⋅1011 до 6⋅1011см−2. Проведено сопоставление с теоретическими зависимостями mh(p,dQW), рассчитанными в рамках 4-х зонной kP-модели. Эти расчеты предсказывают скачкообразный рост mh примерно в 2 раза за счет попарного слияния боковых экстремумов при увеличении концентрации дырок, который при dQW=20нм должен наблюдаться при p=(4−4.5)⋅1011см−2 и при p=4⋅1010см−2 в QW 200 нм. Это предсказание радикально отличается от экспериментальных зависимостей. Показано, что учет дополнительных факторов (электрическое поле в QW, величина деформации) не снимает противоречия между экспериментом и теорией. Это вызывает сомнения в том, что используемые kP расчеты адекватно описывают валентную зону при всех dQW.
Поступила в редакцию: 20.04.2023 Исправленный вариант: 06.05.2023 Принята в печать: 06.05.2023
Образец цитирования:
Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Я. Алешкин, “Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору”, Письма в ЖЭТФ, 117:12 (2023), 912–918; JETP Letters, 117:12 (2023), 916–922
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6969 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v117/i12/p912
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 73 | Список литературы: | 23 | Первая страница: | 12 |
|