Аннотация:
Особенности электронной структуры лазерно-охлаждаемых молекул могут использоваться для достижения высокой чувствительности к интенсивности излучения путем измерения заселенности колебательных уровней в таких молекулах. В настоящей статье мы указываем на перспективы измерения интенсивности излучения с высокой точностью с использованием лазерно-охлаждаемых молекул.
Образец цитирования:
Т. А. Исаев, “Относительно высокой чувствительности заселенности колебательных уровней в лазерно-охлаждаемых молекулах к интенсивности излучения”, Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021), 493–497; JETP Letters, 114:7 (2021), 429–432