Аннотация:
Структурная причина сверхпроводимости в допированном атомами Cu, Sr, или Nb топологическом изоляторе Bi2Se3 на сегодняшний день не понятна. Для продвижения в ее понимании в данной работе был реализован подход ко-допирования, и выращены монокристаллы BaySrxBi2Se3 с различными x и y. Изучался состав, структурные и транспортные свойства полученных кристаллов. На основе рентгеновских данных показано, что барий и стронций интеркалируют систему, при том что барий входит в структуру в очень малых количествах. Удивительным образом добавление бария разрушает сверхпроводимость, практически не меняя ни постоянных решетки, ни уровня легирования кристаллической матрицы стронцием, ни концентрации электронов. Таким образом, показана ключевая роль определенного координационного расположения атомов стронция между пятислойками Bi2Se3 для достижения сверхпроводимости в данном материале.
Образец цитирования:
А. Ю. Кунцевич, Г. В. Рыбальченко, В. П. Мартовицкий, М. И. Банников, Ю. Г. Селиванов, С. Ю. Гаврилкин, А. Ю. Цветков, Е. Г. Чижевский, “Влияние ко-допирования барием на сверхпроводимость в SrxBi2Se3”, Письма в ЖЭТФ, 111:3 (2020), 166–172; JETP Letters, 111:3 (2020), 151–156
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: