Аннотация:
На поверхности полярного кристалла SiC с помощью металлической непрозрачной маски были сформированы “частицы” открытой поверхности, с размерами отверстий в маске порядка длины фонон-поляритонной волны. При облучении образца электромагнитной волной (λ=10.68λ=10.68мкм) на частоте вблизи решеточного резонанса SiC обнаружено значительное увеличение амплитуды поля поверхностных фонон-поляритонных волн над такими “частицами” по сравнению с бесконечной открытой поверхностью SiC. Это явление, наблюдаемое нами в ИК-диапазоне, аналогично плазмонному резонансу на малых частицах металла в видимом диапазоне, однако пространственное разрешение использованного ASNOM (не хуже 30 нм на длине волны 10 мкм) делает полученное распределение поля в ИК-диапазоне более детальным. Карты распределения амплитуды и фазы локального поля над поверхностью SiC, полученные с помощью ASNOM, находятся в хорошем количественном согласии с расчетами конфигурации фонон-поляритонных волн, использующими функцию Грина.
Образец цитирования:
Д. В. Казанцев, Е. А. Казанцева, “Усиление локального электромагнитного поля над планарными “частицами” на поверхности полярного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 107:8 (2018), 532–536; JETP Letters, 107:8 (2018), 512–515
\RBibitem{KazKaz18}
\by Д.~В.~Казанцев, Е.~А.~Казанцева
\paper Усиление локального электромагнитного поля над планарными ``частицами'' на поверхности полярного кристалла
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 8
\pages 532--536
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5556}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X1808012X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32816600}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 8
\pages 512--515
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018080106}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000436588500012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85049173809}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5556
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i8/p532
Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
Д. В. Казанцев, Е. А. Казанцева, УФН, 194:6 (2024), 630–673; D. V. Kazantsev, E. A. Kazantseva, Phys. Usp., 67:6 (2024), 588–628
V. S. Ivchenko, D. V. Kazantsev, V. A. Ievleva, E. A. Kazantseva, A. Yu. Kuntsevich, Applied Physics Letters, 125:17 (2024)
Yiming Zhong, Yun Chen, Xin Chen, 2023 24th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT), 2023, 1
D. Kazantsev, H. Ryssel, J. Appl. Phys., 127:12 (2020), 123103
V. S. Krivobok, D. A. Litvinov, S. N. Nikolaev, E. E. Onishchenko, D. A. Pashkeev, M. A. Chernopittsky, L. N. Grigor'eva, Semiconductors, 53:12 (2019), 1608–1616