Аннотация:
Рассматривается простейшая модель, описывающая стационарный электронный транспорт через квантовую сверхрешетку конечной длины при учете произвольной электрической характеристики инжектирующего контакта. В рамках одноминизонного приближения получены точные формулы, описывающие пространственные распределения электрического поля в сверхрешетке для различных типов контактов. Найдены условия, при которых поле становится однородным. Получены аналитические выражения для вольт-амперных характеристик. В качестве одного из приложений развитой теории оценивается возможность достижения однородного поля в диодной структуре с естественной сверхрешеткой карбида кремния.
Образец цитирования:
В. А. Максименко, В. В. Макаров, А. А. Короновский, А. Е. Храмов, Р. Венкевичиюс, Г. Валушис, А. Г. Баланов, Ф. В. Кусмарцев, К. Н. Алексеев, “Распределение электрического поля в квантовой сверхрешетке с инжектирующим контактом: точное решение”, Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016), 527–532; JETP Letters, 103:7 (2016), 465–470